一、缘栅型场效应管(MOS管)的结构与工作原理 二、主要参数及使用时的注意事项 三、场效管基本放大电路

为了准确预测管道在不同应力比交替作用下的剩余寿命,在疲劳裂纹扩展速率实验的基础上,建立了一种新的含缺陷管道剩余寿命预测方法,即不同应力比交替作用下单参数疲劳寿命预测方法.该方法全面考虑了管线运行过程中不同应力比交替作用引起的破坏.以X52管线钢为例,通过模拟天然气实际运行情况(R=0.1和R=0.6交替作用)预测了其剩余寿命

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

7.1 电能系统的运行与管理问题 7.2 电能系统的有功平衡与频率调整 7.3 电力系统的无功平衡与电压调整 7.4 电能系统有功、无功经济分配 7.5 电能系统运行稳定性的基本概念 7.6 电力电子技术在电能系统运行中的应用 7.7 能量管理系统EMS 7.8 配电管理系统DMS

7.1 电能系统的运行与管理问题 7.2 电能系统的有功平衡与频率调整 7.3 电力系统的无功平衡与电压调整 7.4 电能系统有功、无功经济分配 7.5 电能系统运行稳定性的基本概念 7.6 电力电子技术在电能系统运行中的应用 7.7 能量管理系统EMS 7.8 配电管理系统DMS

7.1 半导体的特性及类型 7.2 半导体二极管 7.3 二极管整流与稳压电路 7.4 晶闸管及应用 7.5 二极管整流与稳压应用实验

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

操作系统中的存储器管理是指对主存(又称内存)的管理。由于程序运行和数据处理 都是在主存中进行,所以主存和CPU一样也是一种重要的资掘如何对主存进行有效的管理, 不仅直接影响到存储器的利用率,还影响到系统的性能

1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件

一、半导体的基本知识 二、PN结的形成及特性 三、半导体二极管 四、特殊二极管 五、二极管基本电路分析