第四讲晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入、输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数

7.1半导体二极管 7.2半导体三极管 7.3三极管单管放大电路 74场效应晶体管及其放大电路 7.5多级放大电路 7.6差动放大电路 7.7互补对称功率放大电路

§2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 放大电路静态工作点的稳定 §2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法 §2.6 晶体管基本放大电路的派生电路 §2.7 场效应管放大电路

5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数

第一章 公共政策研究导论 . 3 第二章 公共政策基本理论 . 11 第三章 公共政策环境考察 . 20 第四章 公共政策制定管理 . 28 第五章 公共政策实施管理 . 38 第六章 公共政策变更管理 . 45 第七章 公共政策监督管理 . 53 第八章 经济政策 . 62 第九章 政治社会政策 . 71 第十章 科教文体政策 . 83 第十一章 公共政策分析基础 . 92 第十二章 公共政策系统分析 . 101 第十三章 公共政策经济分析 . 110

7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 7.3 三极管单管放大电路 7.4 场效应晶体管及其放大电路 7.5 多级放大电路 7.6 差动放大电路 7.7 互补对称功率放大电路

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2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV