1. 研究背景及研究内容 2. 器件结构及气敏测试系统 3. PANI及PANI/TiO2敏感薄膜的制备、表征及气敏特性研究 4. PANI/SnO2和PANI/SnO2-TTAB薄膜的气敏特性研究 5. 结论

7.2.1 概念 7.2.2 影响气敏特性的因素 7.2.3 四种模式的气敏机理 1. 能级生成理论 2. 表面电荷层理论 3. 接触粒界势垒理论 4. 整体原子价控制电导理论

一、晶闸管单相和三相交流调压器； 二、全控型器件的交流斩波电路； 三、交-交变频器； 四、交-交(AC-AC)变换器的应用

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5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

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