现代电子封装迫切需要开发新型高导热陶瓷（玻璃）基复合材料.本文在对镀钛金刚石进行镀铜和控制氧化的基础上，利用放电等离子烧结方法制备了金刚石增强玻璃基复合材料，并观察了其微观形貌和界面结合情况，测定了复合材料的热导率和热膨胀系数.实验结果表明：复合材料微观组织均匀，Ti/金刚石界面是复合材料中结合最弱的界面，复合材料的热导率随着金刚石粒径和含量的增大而增加，而热膨胀系数随着金刚石含量的增加而降低.当金刚石粒径为100 μm、体积分数为70%时，复合材料热导率最高达到了40.2 W·m-1·K-1，热膨胀系数为3.3×10-6K-1，满足电子封装材料的要求

信息技术祇∏新月异地迅猛发展,功能强大的计算机、各种各样的 工作站、迅速兴起的因特网设备在世界的普及,把人类推向了崭新的信 息时代。计算札技术的发展从根本上体现在使件技术的史新换代方面 不管功能多么强大的软件系统,如果没有相应的硬件设备支持,都无法 发挥其应有的作用。应该承认,电子与计算机技术的飞速发展,涌现了 大量的新概念和新词汇。而这些词江大多数都来源于英文词汇,要为我 所用,就必须透彻领会这些新词汇的含义。国内很多翻译过来的资料往 往各行其是,对某些单词的解释并不统一,使国人在阅读这类技术资料 时难免产生理解上的偏差

1、“层 Layer)”的概念 与字处理或其它许多软件中为实现图、文、色彩等的嵌套与合成而引入的“层”的概念 有所同, Protel的“层”不是虚拟的,而是印刷板材料本身实实在在的各铜箔层。现今,由于 电子线路的元件密集安装。防干扰和布线等特殊要求,一些较新的电子产品中所用的印刷 板不仅有上下两面供走线,在板的中间还设有能被特殊加工的夹层铜箔,例如,现在的计 算机主板所用的印板材料多在4层以上。这些层因加工相对较难而大多用于设置走线较为 简单的电源布线层(如软件中的 Ground dever和 Power Dever),并常用大面积填充的办法 来布线(如软件中的 External phalle和Fll)

重点：反馈的概念、反馈性质的判断方法、深度负反馈条件下放大倍数的估算方法、引人负反馈的方法和负反馈放大电路稳定性的判断方法和消振方法。难点：反馈概念的建立、反馈的判断、反馈网络的确定、稳定性的判断主要表现为基本概念和基本知识不清,比如,没有建立起只要放大电路的输出回路和输入回路之间有联系(不一定是输出端和输入端产生联系)就有反馈,反馈量是仅仅决定于输出量的物理量等概念

第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

DS12887的功能特点 DS12887是美国达拉斯半导体公司最新推出的时钟芯 片，采用CMOS技术制成，把时钟芯片所需的晶振和外 部锂电池相关电路集于芯片内部，同时它与目前 IBM AT计算机常用的时钟芯片MC146818B和DS1287管脚兼 容，可直接替换。采用DS12887芯片设计的时钟电路勿 需任何外围电路并具有良好的微机接口。DS12887芯片 具有微轼耗、外围接口简单、精度高、工作稳定可靠 等优点，可广泛用于各种需要较高精度的实时时钟场 合中

利用CMT5105电子万能试验机和HTM 16020电液伺服高速试验机对超高强热成形钢进行拉伸试验,应变速率范围为10-3~103 s-1,模拟热成形零件在不同应变速率下的碰撞情况.结果表明:在低应变速率阶段(10-3~10-1 s-1)实验钢的应变速率敏感性不高,随应变速率的升高,实验钢的强度和延伸率变化不大;在高应变速率阶段(100~103 s-1)实验钢具有高的应变速率敏感性,随应变速率的升高,实验钢的强度和延伸率都呈增大的趋势,并且抗拉强度的应变速率敏感性要大于屈服强度.这主要是由于在高应变速率阶段拉伸时产生的绝热温升现象和应变硬化现象共同作用造成的.实验钢颈缩后的延伸率随应变速率的增大而减小,主要是由于高应变速率下马氏体局部变形不均匀造成的.实验钢吸收冲击功的能力随应变速率的升高而增大,实验钢达到均匀延伸率时吸收冲击功的大小对应变速率更敏感.与低应变速率阶段相比,实验钢在高应变速率阶段的断口韧窝的平均直径更小,韧窝的深度更深,这与高应变速率阶段部分马氏体晶粒的碎化有关.通过扫描电镜和透射电镜观察发现,在高应变速率拉伸时晶粒有明显的拉长趋势,并且在应力集中的地方有一些微空洞的存在,应变速率为103 s-1时部分区域有碎化的现象

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

在现今多元化、科技化、便利化的金融服务市场,每家银行业者莫不想找到能给予客 户最便利服务的通路,加强与客户间之互动,藉由创新的工具提升服务品质,创造客户满 意度。 由于电子科技的快速发展,传统的银行业务推展方式已开始面临科技化服务的巨大 战,计算机与电话系统的整合(Computer Telephony Integration)创造了一种全新的服务通 路,过去需要客户亲临银行办理的业务,现今只需要一支行动电话(call phone)或手提电 脑( notebook)与几个输入的动作,弹指之间即能获得银行周全的服务,因此,未来的银 行经营规模与良已不是取决于分行家数的多寡、业务人员的数量,而是谁能充分应用计 算机科技的优势,创造银行核心竞争力,并提供最适切之服务给客户,创造极大化的银行 服务价值

数学上解薛定谔方程时,可以得到很多γ数学解, 而从物理意义上讲,这些数学解并不都是合理的, 并不是每一个数学解都能表示电子运动的一个稳定 状态。 为了得到合理的解,就要求一些物理量必须是量 子化的,从而引入三个量子数n、l、m。这三个 量子数不是任意的常数,而要符合一定的取值。 因此,所谓解薛定谔方程,就是解出对应一组 n、l、m的波函数nm及相应的能量En,一般 我们就用它来描述原子中电子的运动状态