1.掌握电阻、电感、电容元件的交流特性 2.掌握R-L-C串联电路与并联电路的分析计算方去,理解阻抗与阻抗角的物理意义。 3.了解R-L-C串联谐振电路与并联谐振电路的特形

第十三章瞬态过程 1.瞬态过程和换路定律。 2.三要素法确定RC和RL电路的瞬态过程表达式确定三要素

1.了解正弦交流电的产生。 2.掌握表征正弦交流电的三要素:振幅、角频率、初相位。 3.理解交流电的周期、频率、有效值、相位与相位差等概念

第一章电路的基本概念 1.电路的基本组成、电路的三种工作状态和额定电压、电流、功率等概念。 2.掌握电流、电压、电功率、电能等基本概念

第三章复杂直流电路 1.掌握基尔霍夫定律及其应用,学会运用支路电流法分析计算复杂直流电路 2.掌握叠加定理及其应用。 3.掌握戴维宁定理及其应用

1.非正弦周期电流的是怎样产生的。 2.一个非正弦周期量可以分解为其多次谐波的代数形式

1.了解三相交流电源的产生和特点。 2.握三相四线制电源的线电压和相电压的关系 3.掌握对称三相负载Y形连接和Δ连接时,负载教学重点线电压和相电压、线电流和相电流的关系 4.掌握对称三相功率的计算方法

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)