1.1 本课程研究的对象及学习目的 1. 研究对象 研究绘制和阅读工程图样的基本理论和方法 2. 学习目的 培养以图形为基础的形象思维能力 培养空间分析能力和投影分析能力。 培养阅读和绘制机械设计图样的初步能力

直接法得到的解是理论上准确的,但是我们可以看得出,它们的计算量都是n3 数量级,存储量为η2量级,这在n比较小的时候还比较合适(n<400),但是对于现 在的很多实际问题,往往要我们求解很大的n的矩阵,而且这些矩阵往往是系数矩阵 就是这些矩阵含有大量的0元素。对于这类的矩阵,在用直接法时就会耗费大量的时 间和存储单元。因此我们有必要引入一类新的方法:迭代法

对微生物的代谢途径及代谢网络进彳 有目的的改造从而提高氨基酸的产量仍然 是现代生物工程学的一个主攻目标。为了 攻克这个目标,就有必要对尚待进一步完 善的细胞生理学、生物化学、分子生物学 及生物过程工程等学科的基本状况做一番 描述,主要有如下几个话题

对文法进行化简和改造 希望定义语言的文法尽可能简单 某些语法分析技术对文法有要求和限制：LL分析 要求文法无左递归；算符优先分析要求文法不含

程序设计语言 低级语言：机器语言（二进制代码）、汇编语言（直 接操作寄存器、多种寻址方式）及其它面向机器的程 序设计语言；其特点对计算机的依赖性强、直观性差、 编写程序的工作量大，对程序设计人员要求较高

采用还原焙烧、磁选工艺流程和粉矿直接入炉焙烧技术,对难选低品位硼铁矿中硼的富集进行了研究.按化学当量比C/O=1(原子比)进行配碳,使用马弗炉进行焙烧实验,在500~1 450℃研究了不同焙烧温度下硼品位和硼回收率的变化.研究结果表明:随着焙烧温度的提高,铁晶颗粒增大,在1 200℃时硼精粉品位达到14.29%,满足硼化工工业对硼品位的要求(ω(B2O3) ≥ 12%);硼回收率在1 200℃以上时能达到90%以上.当焙烧温度在1 350℃以上时,硼的回收率和品位没有太大的变化.焙烧温度选择在1 200~1 350℃为宜,既能实现高的硼回收率,硼品位又能满足硼化工工业的要求

采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备了Mg2-xNdxNi(x=0,0.1,0.2,0.3)储氢合金.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了合金的相结构和表面形貌,利用等容压差法分析测试了合金的压力-组成-温度(PCT)曲线和吸放氢动力学性能,研究了烧结温度、稀土元素Nd对储氢合金微观组织结构和储氢性能的影响,比较了SPS技术与真空感应熔炼法制备的Mg基合金组织结构和储氢性能的异同.结果表明:SPS制备的Mg2-xNdxNi(x=0~0.3)系列储氢合金具有多相结构,储氢合金的吸放氢动力学性能良好;Nd元素有利于Mg合金化,不利于储氢量;烧结温度对储氢量、PCT曲线平台性能有明显影响;当Mg2-xNdxNi系合金中含有Mg和NdMg12相,PCT曲线出现双平台现象;与铸态合金相比,SPS制备的Mg1.7Nd0.3Ni储氢合金的吸放氢动力学性能较好,但储氢容量、放氢率和PCT曲线平台性能更差

对于 NMOS，B 通常接地；当 时，电子被吸引到栅极下面，形成导电通 道；对于 PMOS，B 通常接正电源；当 时，空穴电子被吸引到栅极下面， 形成导电通道；

综合工具将 HDL 程序转换为 EDA 工具可以识别的形式，对应 为具体的电路结构形式；在采用 PLD 进行设计时，综合工具 可以将设计映射到具体的 CPLD 或 FPGA 器件上，对应得到与 器件相关的技术实现方式；

一、标识符 二、数据对象(对象的申明) 三、数据类型 四、操作符