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将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性,本文从IC内 部封装入手,分析EM的来源、IC封装在EM控制中的作用,进而提出11个有效控制EM 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳EM抑制的性能 现有的系统级EM控制技术包括
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第一篇DSP系统的降噪技术 随着高速DSP(数字信号处理器)和外设的出现,新产品设计人员面临着电磁干扰 (EM)日益严重的威胁。早期,把发射和干扰问题称之为EM或RFI(射频干扰)。现在 用更确定的词“干扰兼容性”替代。电磁兼容性(EMC)包含系统的发射和敏感度两方面的 问题
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3.2 正弦交流电路的分析计算 3.2.2 R-L-C串联交流电路 3.2.3 交流电路的一般分析方法 3.2.4 功率因数的提高
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§3.6 格林定理 泊松方程的积分公式 §3.8电介质的极化 . 极化强度 §3.10 恒定电流空间的基本方程、边界条件
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3.1正量的特值及示方法 31.1正弦量的特征值 3.1.2正弦量的表示方 3.2正弦交流电路的分析与计算 3.2.1单一参数的正交流电路
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8.1组装硬盘 准备工作 安装硬盘,工具是必需的,所以螺丝刀一定要准备一把。另外,最好 事先将身上的静电放掉,具体方法可以用手接触一下金属体即可(例 如水管、机箱等)
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第七章触发器和时序逻辑电路 7.1双稳态触发器 7.2寄存器 7.3计数器 7.5应用举例
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第二部分变压器 9-3为了得到正弦感应电势,当铁心不饱和时,空载电流各成何种波形?为什么? 9-4试说明磁势平衡的概念及其在分析变压器中的作用。 9-5为什么可以把变压器的空载损耗近似看成是铁耗,而把短路损耗看成是铜耗?变压器实际负载时实际的铁耗和铜耗与空载损耗和短路损耗有无区别?为什么?
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WEEE and RoHS SUD Waste Electrical and Electronic Equipment 废弃电子电气设备 TUV The restriction of the use of PRODUCT SERVICE certain hazardous substances in electrical and electronic equipment
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3–1 结型场效应管 3–2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3–3 场效应管的参数和小信号模型 3–4 场效应管放大器
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