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三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)课程考试试卷
文档格式:DOC 文档大小:94.5KB 文档页数:3
一、选择填空(选择一个正确答案填在扩号内,每小题5分,共30分) 1、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入
中国地质大学:《分析化学试题库》期末考题
文档格式:PDF 文档大小:173.63KB 文档页数:4
一、选择题(单项选择共20分,答案写在答卷纸上。) 1.用浓度为c(mol/L)的KMnO4标准溶液分别滴定体积相等的FeSO4和H2C2O4溶液,消耗KMnO4的体积相等,则说明两溶液的浓度C(mol/L)的关系是:
大理学院:《外科学》课程教学资源_试题1:毕业综合理论考试外科学B卷
文档格式:DOC 文档大小:40.5KB 文档页数:4
一、单项选择题(每题 1 分,共 25 分) 1、代谢性酸中毒的常见原因中,下列哪项是错误的( )。 A 急性腹膜炎 B、休克 C、肠瘘 D、长期反复呕吐 E、急性肾功能衰竭
大理学院:《外科学》课程教学资源_试题2:毕业综合理论考试外科学A卷
文档格式:DOC 文档大小:41KB 文档页数:4
一、单项选择题(每题 1 分,共 25 分) 1、幽门梗阻所致持续呕吐可造成( ). A、低钾性酸中毒 B、低氯低钾性酸中毒 C、低氯高钾性碱中毒 D、低氯高钠性酸中毒 E、低氯低钾性碱中毒
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:260KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
中国地质大学:《分析化学试题库》2005年分析化学考题参考答案
文档格式:PDF 文档大小:84.25KB 文档页数:2
一、单项选择或填空题 1c2.b3.d4.a5.a6.b7.c8c9.d10.c11.b12.d 13:越大,Li'
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
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