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一、选择填空(选择一个正确答案填在扩号内,每小题5分,共30分) 1、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入
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一、选择题(单项选择共20分,答案写在答卷纸上。) 1.用浓度为c(mol/L)的KMnO4标准溶液分别滴定体积相等的FeSO4和H2C2O4溶液,消耗KMnO4的体积相等,则说明两溶液的浓度C(mol/L)的关系是:
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一、单项选择题(每题 1 分,共 25 分) 1、代谢性酸中毒的常见原因中,下列哪项是错误的( )。 A 急性腹膜炎 B、休克 C、肠瘘 D、长期反复呕吐 E、急性肾功能衰竭
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一、单项选择题(每题 1 分,共 25 分) 1、幽门梗阻所致持续呕吐可造成( ). A、低钾性酸中毒 B、低氯低钾性酸中毒 C、低氯高钾性碱中毒 D、低氯高钠性酸中毒 E、低氯低钾性碱中毒
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一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
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一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V
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一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
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一、单项选择或填空题 1c2.b3.d4.a5.a6.b7.c8c9.d10.c11.b12.d 13:越大,Li'
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一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
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一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
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