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《电子技术基础》课程教学资源(模拟电子技术)PPT课件讲稿:互补对称功率放大器
文档格式:PPT 文档大小:1.65MB 文档页数:34
一、乙类互补对称功率放大电路 二、甲乙类互补对称功率放大电路
沈阳工程学院:《电机学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十一章 拖动系统动力学基础
文档格式:PPT 文档大小:81.5KB 文档页数:6
1、把旋转工作机构的负载转矩 或直线工作 机构的负载力 折算到电动机轴上而成为等 效的负载转矩 ---保持系统传送的功率不变
清华大学:《模拟电子电路》课程教学资源(PPT课件讲稿)第6章 MOS模拟集成电路基础(6.1)MOS模拟集成基本单元电路
文档格式:PPS 文档大小:559KB 文档页数:15
6.1.1 MOS电流源 6.1.2 MOS单级放大器
清华大学:《模拟电子电路》课程教学资源(PPT课件讲稿)第5章 放大电路反馈原理与稳定化基础(5.6)位补偿原理与技术
文档格式:PPS 文档大小:269.5KB 文档页数:5
5.6.1 主极点补偿 5.6.2 极点分离的密勒电容补偿
清华大学:《模拟电子电路》课程教学资源(PPT课件讲稿)第5章 放大电路反馈原理与稳定化基础(5.4)负反馈对放大器频域和时域特性的影响
文档格式:PPS 文档大小:391KB 文档页数:17
结论:纯电阻负反馈网络,不影响闭环极点和零点的数量,也不改变闭环零点的值,只改变闭环极点的值
《电子技术基础》课程教学资源(模拟电子技术)PPT课件讲稿:功率管的散热问题
文档格式:PPT 文档大小:316KB 文档页数:6
功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)第二章 逻辑门电路习题答案
文档格式:DOC 文档大小:43.5KB 文档页数:1
2-1二极管:加正向电压导通,相当于开关闭合;反向电压截止,相当于开 关断开。三极管:UB<0V时,三极管可靠截止,相当于开关断开 ig》IBs时,三极管饱和,相当于开关闭合。 22(1)R↑,R2,|-UB↑ (2)R1↓,R2↑,|-UB↓,R个,β个,Uc↑ (3)RcL
凝固条件对AlSi7Mg合金半固态加热时组织的影响
文档格式:PDF 文档大小:1.12MB 文档页数:5
利用电阻炉研究了凝固条件对AlSi7Mg 合金半固态加热时组织的影响.研究表明:电磁搅拌的AlSi7Mg 合金在589或597℃下保温,在较短的时间内(5~10 min),共晶体即可重熔,α相可转变为球状,而且保温温度越高,试样共晶体重熔和α相球化的过程越快;相比较,未电磁搅拌的细小枝晶的AlSi7Mg 合金在同样的加热温度下,即使保温60min,也无法获得完全球状α相的半固态组织
三峡大学:《电子技术基础 Fundamental of Electronic Technology》课程教学资源(试题库)第二章 逻辑门电路习题
文档格式:DOC 文档大小:172.5KB 文档页数:2
2-1.简述二极管、三极管的开关条件。 2-2.反相器如图题2-2所示。在Un、U一定的情况下,定性回答下列问题。 (1)为提高输入低电平时的抗干扰能力,R1、R2、-U应如何选取? (2)为提高输入高电平时的抗干扰能力,R1、R2、-uc、B、应如何选取?
清华大学:《模拟电子电路》课程教学资源(PPT课件讲稿)第三章 放大电路的频率特性(3.3)单级放大电路的频率特性
文档格式:PPS 文档大小:337.5KB 文档页数:18
3.3.1 共射差放的高频特性 3.3.2 用密勒定理及其近似条件分析BW
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