概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

S10型少油高压断路器结构剖面图 1、帽及油气分离器; 2、上出线座; 3、静触头座; 4压紧弹簧; 5、静触片;

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

第七章建筑形体表达方法 7.1基本投影图 7.3断面图 7.2剖面图 7.4简化画法

一、建立轴线 1、设置当前层设为轴线层 2、根据建筑平面图的剖切符号来建立剖面开间轴线 3、根据建筑层高建立进深的轴线 3、用 OFFSET命令建立轴网 4、用 LTSCALE命令改变点划线的线型比例因子

一、剖面设计的任务 1分析建筑物的各部分高度和剖面形式 2分析建筑层数的确定 3分析建筑空间的组合和利用 4分析建筑剖面中结构和构造关系 二、建筑剖面图 应包括剖切面和投影方向可见的建筑构造、构 配件以及必要的尺寸、标高等。 平面图上的剖切符号的剖视方向宜向左、向上

一、建立轴线 1、设置当前层为轴线层 2、根据建筑平面图的剖切符号来建立剖 面开间轴线 3、根据建筑层高建立进深的轴线 4、用 OFFSET命令建立轴网 5、用 LTSCALE命令改变点划线的线型比例因子

《建筑给排水CAD教程》课程教学资源（PPT课件）第十章 建筑剖面图绘制

《建筑给排水CAD教程》课程教学资源（PPT课件）第十一章 建筑剖面图绘制

为了准确获取采空区空间体积，以采空区三维激光扫描系统探测到的原始数据为依据，提出采空区体积的三角网模型微积分算法.算法首先确定模型剖切的主轴方向，用一组等间距平行面对模型进行相切并获得剖面的无序点集，运用所提出的凸包压入法生成采空区剖面的初始边缘轮廓线；再将初始边缘轮廓线内的其他交点添加到剖面中，形成完整的采空区剖面形态；最后利用平面三角形有向面积叠加计算剖面面积，将剖面面积与微小间距进行积分获取采空区的体积.工程应用表明，所研究的采空区体积算法稳定性好，精度高，可实现对复杂采空区体积的有效计算