3.1晶体管的开关特性 3.2TL集成逻辑门 3.3ECL集成逻辑门与I2L电路 3.4Ms逻辑门 3.5cmos电路

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应

4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数

3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数

具体描述电路各元件的端口及其连接； 以基本元件为基础逐级构建； 元件：已经定义的电路模块（实体），可以来自标准库中，也 可以是自己或他人以前编译过的实体； 元件的基本要点： 元件名 输入/输出端口特点；

模拟电子学的研究对象 模拟电子学的研究方法 模拟电子学的应用背景 概述 研究内容的描述 元件的描述 分析方法的一般描述

⚫自感式传感器 ◆气隙型自感传感器 ◆螺管型自感传感器 ◆自感线圈的等效电路 ◆测量电路 ⚫差动变压器 ◆结构原理与等效电路 ◆误差因素分析 ◆测量电路 ◆应用 ⚫电涡流式传感器

1.1 信号 1.2 信号的频谱 1.3 模拟信号和数字信号 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标

并行语句 顺序语句 体现电路硬件的特点：各元件/信号相互影响，同时发生变化 体现设计人员的思路：现象的因果关系、局部与整体的关系 并行语句 模拟结构体中电路硬件的变化特点

一、（1）× （2）√ （3）× （4）√ 二、（1）B （2）C （3）A （4）D 三、（a）电流串联负反馈