2.8.1直接耦合放大电路的特殊问题 2.81.1级间直流电位匹配问题

(1)传统的设计方法 制板图(绘图工具)制作印制板(工艺流程)制印 焊接电路图测试修改电路反复确定一 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室

1. 正确理解放大电路主要性能指标的意义。 2. 掌握直流工作点的设置方法及其稳定的意义；会画放大电路的直流通路；掌握直流工作点的调节方法；能够熟练地估算直流工作点

（1）传统的设计方法 焊接电路图—测试—修改电路—反复—确定—绘制印 制板图（绘图工具）—制作印制板（工艺流程） 需要一个具有完备的仪器仪表的电子线路实验室

(1) Hole particle current from E to B (2)Electron particle current from B to E (3)Recombination current in B (4) Hole particle current originating in E and reaching C (5)Reverse electron particle current from c to B (6) Reverse hole particle current from b to c (What is difference between \current\ and\particle current ? OE F Schubert, Rensselaer Polytechnic Institute, 2003

外光电效应: 在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。 如光电管、光电倍增管 内光电效应: 在光线作用下能使物体电阻率改变的现象， 如光敏电阻等属于这类光电器件。 阻挡层光电效应(光生伏特效应): 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动 势的现象

在MOS电容金属电极上，加以脉冲电压，排斥掉半 导体衬底内的多数载流子，形成“势阱”的运动， 进而达到信号电荷（少数载流子）的转移。 图像传感器：转移的信号电荷是由光像照射产生； 若所转移的电荷通过外界诸如方式得到，则其可以 具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功 能

3.1晶体管的开关特性 3.2TL集成逻辑门 3.3ECL集成逻辑门与I2L电路 3.4Ms逻辑门 3.5cmos电路

DoC. No. 5SYA1036-03 Sep Two thyristors integrated into one wafer Patented free-floating silicon technology Designed for traction, energy and industrial applications Optimum power handling capability Interdigitated amplifying gate The electrical and thermal data are valid for one thyristor half of the device

VDRMI VARM =10ms 1/2 sine. Vosu V asM =VDRM+ 100V respectively. Lower voltage grades available. ORDERING INFORMATION When ordering select the required part number shown in the Voltage Ratings selection table r ex For example: