研究了X70管线钢缝隙在含Cl-、SO42-溶液中阴极极化行为.实验结果表明:在-1000mV(CSE)缝口控电位下,随着缝隙开口尺寸增大,缝隙尖端越靠近缝口控电位;在同一缝隙开口尺寸时,随着缝口控电位的增大,缝隙内越容易达到保护状态.欠保护状态下,缝隙腐蚀会发生,缝隙内溶液pH值降低;保护状态下,缝隙内溶液pH值升高有碱化趋势

组合逻辑电路的分析,就是将电路图上的连接,转化为易于归纳的形式,进而了解电路的功能。分析步骤如下: (1)从输入向输出逐级推导,得到最终的输出表达式 (在这个过程中,有时可以设几个中间变量) (2)表达式化简。 (3)由逻辑表达式列出真值表

(一)、CMOS反相器工作原理 CMOS电路的结构特点是: 一个N沟道管和一个P沟道管配 G 对使用,即N、P互补(Comp- T lementary)

利用透射电镜研究了采用\固有抑制剂法\低温板坯加热技术生产的取向电工钢热轧板中抑制剂的析出行为,探讨了板坯加热温度对二次再结晶和成品磁性的影响.结果表明:热轧板中析出相以复合硫化物为主;随着板坯加热温度的提高,复合硫化物中铜锰比增高,析出相尺寸减小,分布更均匀,同时AlN析出增多,使得抑制力更强,二次再结晶更完善,磁性更好

一:结构: 电源接口:接线柱有断裂现象 1:电源 2:IDE接口:插针有断裂、缩回、虚焊现象 3:跳线:用于设置 MASTER/SLAVE 4:主轴电机驱动 5:磁头伺服定位驱动

配位化合物又称络合物,是一类含有中心金属 原子(M)和若千配位体(L)的化合物(ML)中心 原子M通常是过渡金属元素的原子(或离子,具 有空的价轨道;而配位体L则有一对或一对以上 孤对电子M和L之间通过配位键结合成为带电 的配位离子,配位离子与荷异性电荷的离子相结 合,形成配位化合物有时中心原子和配位体直接 结合成不带电的中性配位化合物分子 个配位化合物分子(或离子)中只含一个中心 原子的叫单核配位化合物含两个或两个以上中 心原子的叫多核配位化合物在多核配位化合物 中若MM之间有键结合在一起的叫做金属簇化之合物

一、 测量误差与仪表准确度 （一）指示仪表的误差 任何仪表在测量时都存在误差， AX —— 指示值，A0 —— 真值 1. 基本误差：仪表本身固有的，由结构及制造工艺决定的

提出了一个基于合金组元原子半径和电负性判断非晶形成能力的方法.建立了原子半径差与电负性差之比Δd/Δe与临界冷却速度Rc的数值模型,并在所有五种不同合金系中获得一致且开口向上的抛物线关系.在此基础上,设计并制备了四种不同成分的Zr-Al-Ni-Cu金属玻璃,并测量它们的临界尺寸Zmax、过冷液相区间ΔTx和约化玻璃转变温度Trg.结果表明,Zr54Al13Ni15Cu18的玻璃形成能力最佳,而且用Δd/Δe模型预测的四种金属玻璃的玻璃形成能力顺序与所有实测参数(包括Zmax、ΔTx和Trg)表征的顺序基本一致.因此,用Δd/Δe的预测方法比较同一合金系内不同合金之间玻璃形成能力的优劣是可靠的

4.1 拉普拉斯变换 一、从傅里叶变换到拉普拉斯变换 二、收敛域 三、(单边)拉普拉斯变换 4.2 拉普拉斯变换的性质 4.3 拉普拉斯变换逆变换 4.4 复频域分析 一、微分方程的变换解 二、系统函数 三、系统的s域框图 四、电路的s域模型

光电池是一种很重要的光电探测元件,它不需要外加电源而能直接把光能转换成电能.光电池的种类很多,常见的有硒,锗,硅,砷化镓等.其中最受重视的是硅光电池,因为它有一系列优点:性能稳定,光谱范围宽,频率特性好,转换效率高,能耐高温辐射等.同时,硅光电池的光谱灵敏度与人眼的灵敏度较为接近,所以很多分析仪器和测量仪器常用到它.本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的了解和研究