5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

以十二胺为捕收剂，木薯原淀粉、取代度为0.026和0.21的羧甲基淀粉和取代度为0.0065和0.055的磷酸酯淀粉作为抑制剂，考察了赤铁矿与石英的可浮性，重点研究了基团取代度对变性淀粉抑制性能的影响.结果表明：原淀粉、取代度0.026的羧甲基淀粉和取代度0.0065的磷酸酯淀粉对赤铁矿有良好的抑制作用，而取代度0.21的羧甲基淀粉和取代度0.055的磷酸酯淀粉对赤铁矿的抑制能力较弱；原淀粉和取代度0.026的羧甲基淀粉对石英有较强抑制作用，其他3种淀粉对石英抑制能力较弱.可见，低取代度的磷酸酯淀粉，在赤铁矿阳离子反浮选脱硅中可作为较高选择性的抑制剂.Zeta电位测定结果表明，特征基团取代度相对较高的变性淀粉，与赤铁矿和石英作用后，矿物Zeta电位负值较大.变性淀粉的取代度越高，其伸展向溶液中荷负电的基团越多，使阳离子捕收剂通过静电作用吸附于矿物表面，减弱了变性淀粉的抑制能力

研究了一种通过水热碱法-酸液回流-煅烧，从含钛电炉熔分渣中分离提取、制备纳米结构六钛酸钾晶须材料的新方法.采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射、X射线荧光光谱等表征手段，详细探讨了煅烧过程中钛钾摩尔比、煅烧温度、保温时间和水浸对最终产物物相和微观形貌的影响.含钛电炉熔分渣在水热温度为200℃，水热反应时间为24 h，碱液浓度达12 mol·L-1时，经酸液回流后所得偏钛酸呈一维单晶纳米棒状结构.随着钛钾摩尔比从1.50增加至1.75，煅烧温度从800℃升高到1100℃，保温时间从0.5h延长至7h，制备得到的六钛酸钾晶须的纯度、结晶性及长径比逐渐提高.当钛钾摩尔比为1.75，煅烧温度为1100℃，保温5 h，水浸2 h后可制备得到尺寸均一的六钛酸钾纳米晶须

在实验室条件下,自制了MgS与TiS2两种硫化物,组成MgS—2%TiS2'wt)并经过高温烧结处理。用MgS—2%TiS2固体电解质组成硫浓差电池:Mo[[S]Fe][MgS-2%TiS2（wt）]Mo,MoS2]Mo于1375℃无保护气氛条件下进行了铁液定硫的试验。所测电势E与化学分析的[%S]关系为log[%S]=-0.3694-0.0077E（mV）（[%S]:0.013～0.134）。于1375℃下还测试了Cu-Cu2S系的硫位。推算出表征固体电解质电子电导率大小的特征硫分压Pc’对MgS—2%TiS2来讲为6×10-4pa。引入pe’和硫活度系数fs对E—[%S]关系进行了修正

《51单片机及其应用》课程电子教案（PPT课件讲稿）第三章 LED数码显示方式及电路（LED数码显示方式及电路）

层状锰基材料Li[Lix（MnM）1-x]O2（M=Ni，Co，Cr，…）以高比容量成为最具应用前景的正极体系之一，近年来成为研究热点而倍受关注，尤其借助原位测试分析等先进表征手段，对Li[Lix（MnM）1-x]O2的结构及其高容量获取机理的研究取得显著进展.本文概括介绍了高能量密度层状正极材料的结构与充放电机理，重点针对其目前依然存在的问题，详细归纳了Li[Lix（MnM）1-x]O2正极材料充放电循环过程中电压衰减机理、界面/表面特征以及性能改善的研究新进展，而且对高能量密度层状正极材料的未来研究方向也进行了探讨

同步辐射特征 横向振荡的稳定性 运动学方程 电子的横向运动 经典回归 二极磁铁与边缘场 横向运动的相椭圆 变换矩阵M和N 弯转磁铁 电子的横向振荡的特性 横向振荡的包络 系统的接受度

中国科学技术大学：《电子技术基础》课程教学资源（PPT课件讲稿，模拟部分）第十章 信号处理与信号产生电路 §10.1 滤波电路的基本概念

1、设计任务 设计一个测量系统(或者加入控制部分,构成测控系统)并实现它,最后要对系统进行校准。要求包括完整的设计,含传感器、信号调理电路、数字显示以及电源部分,如下图:

一、了解典型机电一体化产品的设计思想。 二、认识用光电编码器测量平面位移的方法。 三、培养分析评价机电产品的初步能力