1.1 单片机及其发展应用 1.2 80C51单片机的内部结构 1.3 80C51单片机的存储器结构 1.4 80C51单片机的并行I/O接口 1.5 时钟与时序 1.6 复位电路

4.1 叠加定理 4.2 替代定理 4.3 戴维宁定理和诺顿定理 4.4 最大功率传输定理 4.5* 特勒根定理 4.6* 互易定理 4.7* 对偶原理

通过对直流电弧现象的产生,电弧的传导和输入、输出功率的分析,建立了直流电弧通路模型,为电弧的控制和偏弧的抑制提供了理论依据

一、正弦量 用余弦函数表示f()= F cOS(o+q) 正弦量的三要素

采用净浆流动度、ζ电位、总有机碳(TOC)、红外光谱等实验,研究粉煤灰中氧化铁含量对不同结构聚羧酸减水剂吸附性能的影响,探讨氧化铁影响聚羧酸减水剂对水泥分散性能的机理,并提出了相应改进方法.结果表明:粉煤灰中氧化铁含量对掺不同结构聚羧酸减水剂的水泥净浆流动度均有很大影响,当氧化铁质量为粉煤灰总质量的18%时相应浆体基本失去流动性;加入硫化钠能使氧化铁与聚羧酸减水剂的吸附性能降低,浆体流动度有所改善.高氧化铁粉煤灰对聚羧酸减水剂的吸附性很强,与普通Ⅱ级粉煤灰相比,外加剂溶液中有机碳的含量要减少1/3.电泳实验表明:氧化铁的含量越多,体系ζ电位绝对值越小,分散稳定性越差.红外光谱表明:硫化钠的加入降低了高氧化铁粉煤灰对聚羧酸减水剂的吸附

研究了不同还原剂与六价铬的还原反应和各种反应条件对还原率的影响。讨论了反应历程,确定了最佳反应条件。这种还原产物可以做为无毒性电镀铬的铬源。使用这种三价铬化合物进行了电镀试验,获得了厚度超过100μm的镀层

一、填空题(每空1分,共20分) 1.11110,010002.4;3.2,上限阀值电压,下限阀值电压; 4.Qn+1=Qn+1=Qn+KQ;5.模数,数模;6.1,0; 7.时序逻辑电路,组合逻辑电路;8.高,并联使用; 9.与,或;10.只读,随机存取

采用薄液膜装置研究了7A04铝合金在1mol·L-1硫酸钠溶液(pH=5)中的腐蚀行为,用扫描电镜(SEM)观察了腐蚀产物的微观形貌,用光电子能谱分析了腐蚀产物的组成,测试了试样在不同液膜厚度下腐蚀不同时间的交流阻抗曲线.结果表明:7A04铝合金在薄液膜下腐蚀不均匀,中心部位腐蚀轻微,而边沿腐蚀相对严重;腐蚀产物主要为Al(OH)3和硫酸铝;电化学阻抗谱显示在腐蚀前期(0~96h),110μm液膜下7A04铝合金的腐蚀速率最大,而在腐蚀后期(96~168h),材料在本体溶液中腐蚀速率最大

为了解决现行保护渣结晶温度测量手段存在着各种不足的问题,提出了电导法的研究思路.在理论分析了液渣电导激活能与析出相成分、结晶率之间的关系后,设计出了一种简易的测量方法,并采用差热分析(DTA)、偏光显微镜和X射线衍射法对其相关的测量结果进行了验证.结果表明:该测量方法准确度高,成本较低,对主要析出相的判断基本正确,可作为保护渣结晶温度的新型研究手段

本书是髙等工科院校电子与通信工程、信息与控制、应用电子技术等专业“信号与系 统”课程的辅助教学用书。全书共分十一章,每章开始给出基本计算公式和内容要点,其 后为相当数量的选题精解和部分习题,书后给出了习题答案