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本章重点是集成门电路,主要介绍了CMOS 和 TTL 集成门电路,重点应放在它们的输出与输入之间的逻辑特性和外部电气特性上。难点是门电路的工作原理。 • 3.1 晶体管的开关特性 • 3.2 基本逻辑门电路 • 3.3 TTL逻辑门 • 3.4 其他双极型电路 • 3.5 MOS 逻辑门 • 3.6 编程逻辑器件 (PLD)简介
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5.1 换流方式 5.2 电压型逆变电路 5.3 电流型逆变电路 5.4 多重逆变电路和多电平逆变电路
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一、控制系统的概念与控制的基本原理 二、家用电器的程序控制 三、单片机与家用电器的智能控制 四、单片机与家用电器之间的接口电路
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一、例题精解 【例题6.1】图6.1(a)所示电路中,已知R=R1=R2=R3=22,C=1F,L=1H,E=12V。电路原来处于稳定状态,t=0时闭合开关S.试求初始值i(0+)ic(0+)、u(0+)
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4.1三相电压 4.2负载星形联接的三相电路 4.3负载三角形联接的三相电路 4.4三相功率
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3.1结型场效应管 3.2绝缘栅型场效应管 3.3场效应管的主要参数及特点 3.4场效应管放大电路
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1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管
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第七讲静态工作点的稳定 一、温度对静态工作点的影响 二、静态工作点稳定的典型电路 三、稳定静态工作点的方法
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一、焊接训练 二、数字电路设计与制作一般方法 三、三路抢答器的设计与制作 四、设计要求:1.电路仿真设计;2.在数字电子综合实验台上验证;3.焊接制作实际产品
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第二讲半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、P结的电容效应
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