随着集成工艺的发展，PLD的集成规模已经有了 很大的改变。CPLD就是一种集成度远远高于PAL和 GAL的电路

硬盘诊断要领 1.检查电源部是否供电 （1)与硬盘相连的电源接头(Connector)的中间的插头是接地(ground)头,两边的接头各位+5V DC和+12VDC

根据功能要求,实现具体电路设计,本节分为用门电路设计和用中规模功能器件设计。 一、采用门电路设计 1、一般设计方法 设计过程与分析过程正好相反,其步骤如下: (1)搞清功能要求,明确因果关系,设置输入、输出变量

研究了X70管线钢缝隙在含Cl-、SO42-溶液中阴极极化行为.实验结果表明:在-1000mV(CSE)缝口控电位下,随着缝隙开口尺寸增大,缝隙尖端越靠近缝口控电位;在同一缝隙开口尺寸时,随着缝口控电位的增大,缝隙内越容易达到保护状态.欠保护状态下,缝隙腐蚀会发生,缝隙内溶液pH值降低;保护状态下,缝隙内溶液pH值升高有碱化趋势

组合逻辑电路的分析,就是将电路图上的连接,转化为易于归纳的形式,进而了解电路的功能。分析步骤如下: (1)从输入向输出逐级推导,得到最终的输出表达式 (在这个过程中,有时可以设几个中间变量) (2)表达式化简。 (3)由逻辑表达式列出真值表

(一)、CMOS反相器工作原理 CMOS电路的结构特点是: 一个N沟道管和一个P沟道管配 G 对使用,即N、P互补(Comp- T lementary)

利用透射电镜研究了采用\固有抑制剂法\低温板坯加热技术生产的取向电工钢热轧板中抑制剂的析出行为,探讨了板坯加热温度对二次再结晶和成品磁性的影响.结果表明:热轧板中析出相以复合硫化物为主;随着板坯加热温度的提高,复合硫化物中铜锰比增高,析出相尺寸减小,分布更均匀,同时AlN析出增多,使得抑制力更强,二次再结晶更完善,磁性更好

一:结构: 电源接口:接线柱有断裂现象 1:电源 2:IDE接口:插针有断裂、缩回、虚焊现象 3:跳线:用于设置 MASTER/SLAVE 4:主轴电机驱动 5:磁头伺服定位驱动

配位化合物又称络合物,是一类含有中心金属 原子(M)和若千配位体(L)的化合物(ML)中心 原子M通常是过渡金属元素的原子(或离子,具 有空的价轨道;而配位体L则有一对或一对以上 孤对电子M和L之间通过配位键结合成为带电 的配位离子,配位离子与荷异性电荷的离子相结 合,形成配位化合物有时中心原子和配位体直接 结合成不带电的中性配位化合物分子 个配位化合物分子(或离子)中只含一个中心 原子的叫单核配位化合物含两个或两个以上中 心原子的叫多核配位化合物在多核配位化合物 中若MM之间有键结合在一起的叫做金属簇化之合物

一、 测量误差与仪表准确度 （一）指示仪表的误差 任何仪表在测量时都存在误差， AX —— 指示值，A0 —— 真值 1. 基本误差：仪表本身固有的，由结构及制造工艺决定的