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取向硅钢绝缘涂层结构及其对铁芯损耗的影响
文档格式:PDF 文档大小:592.14KB 文档页数:4
采用XRD、SEM和TEM等方法研究了取向硅钢陶瓷涂层的结构特征,采用磁性测量仪分析了此结构对铁芯损耗的影响.结果表明:取向硅钢绝缘涂层包括硅酸镁底层和磷酸盐涂层两部分,硅酸镁底层与钢板基体之间主要是嵌入式机械结合,未见底层原子或原子团扩散,因此为了获得底层对基体良好的附着性,底层应形成细小而排列紧密的硅酸盐晶粒,并嵌入钢板基体的表层,但是也会对取向硅钢的铁芯损耗产生不利影响
异型纳米AlOOH微观晶体结构
文档格式:PDF 文档大小:2.01MB 文档页数:6
利用RTO金属包埋切片微米-纳米表征法,通过高分辨透射电镜观察了γ-AlOOH薄膜切片中的晶格点阵条纹像,分析了添加复合添加剂后异型纳米AlOOH的微观晶体结构,从原子层面揭示了由于铁离子的同晶替代以及硫酸根离子的插层而导致的晶格畸变.阐述了极性添加剂在晶须生长过程中首先形成复合的高聚体、进而定向生长的诱导机理,并指出了非极性表面活性剂对异型纳米AlOOH晶体形貌表面的修复和\美容\作用.用能谱及红外光谱佐证了复合多聚体的存在
微梁谐振器中的空气阻尼
文档格式:PDF 文档大小:388.05KB 文档页数:4
为了研究空气阻尼对谐振器工作性能的影响,基于Euler-Bernoulli假设、梁弯曲振动理论和气体阻尼理论,建立了考虑气体阻尼的梁振动方程,结合边界条件对方程进行了求解,得到了两种不同情况下气体阻尼对微梁谐振器的谐振频率和品质因子的影响.通过两种阻尼对谐振器影响的比较分析,指出在梁形状保持不变(长宽比和高宽比不变)情况下,微梁谐振器存在一个临界压膜厚度,此临界厚度可为器件的设计提供参考
碰摩转子系统分叉与混沌行为的识别
文档格式:PDF 文档大小:650.26KB 文档页数:4
研究了Jeffcott转子发生动静件碰摩时的非线性振动特性.根据数值计算的结果,利用时间序列的相空间重构方法,通过相空间的吸引子的形态来刻画碰摩转子系统的分叉、拟周期和混沌行为,利用分形维数对分叉、拟周期和混沌信号进行定性的分析.这对定性和定量的判定系统的分叉、拟周期和混沌行为是一个非常有意义
熔渣中Zn、Pb挥发行为的对比分析
文档格式:PDF 文档大小:822.47KB 文档页数:6
熔融工艺是目前处理工业粉尘及飞灰的有效方法.为了能够有效控制熔融工艺中Zn、Pb等重金属资源的分离回收,对比分析了Zn、Pb在含Cl的FeO-CaO-SiO2-Al2O3-Fe2O3渣系中的挥发行为.首先通过热力学计算分析了Zn、Pb在该渣系中可能的挥发气体种类,以及各因子如温度、熔渣成分、氧势和Cl含量等的影响.同时,对以上问题进行了实验研究.最终明确了分别提高Zn、Pb挥发分离效率的不同的技术措施和优化参数
Ag-Cu、Ag-H62复合电接点材料界面的原子扩散行为
文档格式:PDF 文档大小:474.61KB 文档页数:4
用扫描电镜能谱分析半定量和定量测定,经不同热处理工艺的Ag-Cu、Ag-H62冷复合和磁控溅射复合电接点材料界面的成分分布,计算了扩散系数激活能实验表明,材料复合界面是金属键结合
铝的壁垒型阳极氧化膜的透射电镜观察
文档格式:PDF 文档大小:1.33MB 文档页数:5
发现了(NH4)2MoS4水溶液中可生成铝的壁垒型阳极氧化膜。用超薄切片,透射电镜结合离子注入惰性原子标记层的技术对膜的形貌、成分和生长过程中的离子迁移进行了观察和分析;用EDAX分析方法来探测到膜中含有溶液阴离子的成分,阳极氧化过程中膜在基体/膜界面和膜/溶液界面同时生长。阳极氧化的电流密度为1.0mA/cm2时,Al3+离子的表观迁移率为0.44
西安建筑科技大学:《水污染控制工程 Water Pollution Control Engineering》课程教学资源(PPT电子教案)第二篇 不溶态污染物的分离技术 第二章 重力沉降法
文档格式:PPT 文档大小:6.25MB 文档页数:76
§2-1 概述 §2-2 沉降的基本原理 §2-3 沉降试验和沉降曲线 §2-4 沉淀池及其设计计算
西安建筑科技大学:《理论力学(一)Theoretical Mechanics》精品课程_电子教案_第2章 汇交力系
文档格式:PDF 文档大小:192.01KB 文档页数:18
汇交力系是指: 作用在质点或刚体上的所有力的作用线的延长线汇交与同一点。本章主要分析汇交力系的合成和平衡
西安建筑科技大学:《理论力学(一)Theoretical Mechanics》精品课程_电子教案_第二篇 运动学 第6章 点的运动
文档格式:PDF 文档大小:371.54KB 文档页数:24
本章对质点(一种特殊的刚体)在惯性参考系中的位置变化进行分析。并给出动点,动点的轨迹,动点的速度矢量,动点的加速度矢量等基本概念。并以不同的几种方试对上述概念进行数学描述
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