6.2功函数和接触势差 1.热电子发射和功函数 实验指出,热电子发射电流密度:j~e-W:功函数金属中,电子处于势阱高度为X(正离子的吸引),如图XCH006008所示,当电子从外界获得足够的能量,有可能脱离金属,产生热电子发射电流

目的：制作如图 99.1 所示的老电影效果。 要点：本例主要应用 Graphic Pen 滤镜、Film Grain 滤镜、Add Noise 滤镜、Motion Blur 滤镜、Ocean Ripple 滤镜和 Clouds 滤镜等工具来制作完成

习题一继电保护基本概念 习题二变换器 习题三阶段式电流保护 习题四方向保护 习题六距离保护一 习题七距离保护二 习题八高频保护 习题九差动保护 习题十一变压器保护 习题十二发电机保护 习题十三母线保护 习题十四微机保护

8.1 门延时 8.2 驱动大电容负载 8.3 逻辑努力(Logical Effort) 8.4 BiCMOS驱动器

一、概念 二、研究思路 三、构建和筛选 四、小结 五、展望 六、参考文献

5.1 半导体光源的物理基础 5.2 半导体光源的工作原理 5.3 光源的工作特性 5.4 光 发 送 机 5.5 驱动电路和辅助电路

观察了实验条件对恒电流密度下二次阳极处理电解沉积MoS2对应的电压时间关系曲线和膜颜色的影响。电子探针分析表明,沉积的固体润滑剂在整个孔的深度范围存在,但接近孔口的膜外表面下含量较高。透射电镜观察发现二次阳极处理过程实质上为二次阳极氧化过程,膜的阻挡层增厚,其厚度与电压的比值在1.0～1.4nm/V范围。原多孔膜底部未发生对应高电压的大孔的起源和发展。沉积MoS2的工艺使膜的硬度有所下降。膜的摩擦系数降低,耐磨性提高

重点：改善起动性能的方法，宽范围调速策略 难点：宽范围高效平滑调速方法

4.1复接的基基概念 4.2同步复接与异步复接 4.3PCM高次群 4.4PCM零次群、子群

西安电子科技大学出版社：高等学校电子信息类系列教材《模拟电子技术基础》教学资源（PPT课件）封面（孙肖子、张企民）