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采用低温球磨技术制备了Mg-4%Ni-1%NiO储氢材料,主要研究低温球磨时间对材料形貌结构以及储氢性能的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析材料的形貌和相组成,采用压力-组成-温度(P-C-T)设备研究材料的储氢性能.结果表明:分别经过2、4和7 h球磨后,材料的相组成没有发生明显改变,只有极少量的Mg2Ni合金相生成.随着球磨时间的延长,材料的平均粒度逐渐下降,作为催化剂的Ni、NiO相逐渐揉进基体内部.伴随着上述变化,材料的活化性能、吸氢性能逐渐提高,球磨到7 h后材料仅需活化1次即可达到最大吸放氢速率,初始吸氢温度降为60℃,在4.0 MPa初始氢压和200℃下吸氢量为6.4%(质量分数),60s即可完成饱和吸氢量的80%,10min内完成饱和吸氢量的90%;材料的放氢性能则在球磨4 h后已经基本保持不变,0.1MPa下初始放氢温度为310℃,在350℃、0.1MPa下材料可在500s内释放饱和储氢量的80%
文档格式:PDF 文档大小:1MB 文档页数:5
选择两种(Ni-A、Ni-B)成分不同的Ni基合金粉末,在STB A22钢基体上用火焰喷焊技术制备两种喷焊层.XRD和SEM背散射电子实验结果表明,喷焊层内的基体都是Ni和Ni3Fe相,其中Ni-A的基体中含有少量Cu.在Ni-A、Ni-B的喷焊层内分布有大量富Cr硬质第二相,在Ni-A的喷焊层中,该相有两种形态,且含有较多Mo元素.在Ni-B的喷焊层中,第二相分布均匀,且无Mo元素.高温硬度实验表明,由于喷焊层中形成了富Cr硬质第二相,Ni-A、Ni-B喷焊层的硬度较高,而由于Ni-A第二相中含有较多Mo元素,Ni-A的高温硬度比Ni-B高,两种喷焊层的高温硬度均比基材常温时高70%以上
文档格式:PPT 文档大小:390KB 文档页数:215
第一章 供应链管理基础理论 ◼ 1.1 供应链的基本概念 ◼ 1.2 供应链管理的产生 ◼ 1.3 供应链管理的概念和内涵 第二章 供应链的规划和设计 ◼ 2.1 供应链的规划 ◼ 2.2 供应链的决策 ◼ 2.3 供应链的设计 第三章 供应链管理策略及应用 ◼ 3.1快速反应策略及其应用 ◼ 3.2有效客户响应策略及其应用 ◼ 3.3联合计划、预测和补货策略及其应用 第四章 供应链采购管理 ◼ 4.1 传统采购与供应链采购 ◼ 4.2 供应链管理下的采购决策 ◼ 4.3 供应链管理下的采购模式 第五章 供应链库存管理 5.1 传统的库存管理 5.2 供应链库存管理模式 5.3供应链库存优化方法 第六章 供应链生产管理 ◼ 6.1传统的生产计划与控制 ◼ 6.2供应链管理下的生产计划与控制 ◼ 6.3供应链管理下的生产计划与控制模型 第七章 供应链合作伙伴关系 ◼ 7.1供应链合作伙伴关系的概述 ◼ 7.2供应链合作伙伴关系的建立及影响因素 ◼ 7.3供应链合作伙伴关系的选择 第八章 供应链信息管理 ◼ 8.1网络经济与供应链管理 ◼ 8.2供应链管理中的信息技术 ◼ 8.3基于供应链的物流信息系统 第九章 供应链绩效管理 ◼ 9.1 供应链绩效评价的基本概念 ◼ 9.2供应链绩效评价的方法和应用 ◼ 9.3供应链管理下的激励机制 第十章 供应链财务管理 ◼ 10.1 供应链财务管理的概述 ◼ 10.2 供应链管理下的财务分析 ◼ 10.3 供应链成本管理 第十一章 供应链组织管理 ◼ 11.1 传统企业的组织结构和业务流程 ◼ 11.2 供应链企业的业务流程重组 ◼ 11.3 基于BPR的供应链企业组织结构
文档格式:PDF 文档大小:23.36MB 文档页数:307
研究对象: 电子导体和离子导体构成的电极界面 电化学的任务: 研究电极界面的结构和性质,掌握电化学反应过程的特征规律,依据试验和生产需要进行反应过程的动力学调控 电化学研究方法: 在电化学理论的基础上采用黑箱理论进行研究。从激发函数和响应函数的观察中获取化学信息(动力学和热力学参数),从而实现化学的定性和定量分析 0. 一些基本概念 1. 电化学研究体系 2. 电化学工作站原理与结构 3. 电化学工作站(CHI)使用 4. 电化学工作站(万通)使用 2. 稳态和暂态研究方法 3. 电位扫描技术 4. 交流阻抗法
文档格式:DOC 文档大小:941.5KB 文档页数:47
第一节 生产与分布 一、起源与栽培历史 二、经济价值和综合利用 三、生产发展概况 四、分布和区划 第二节 分类和品种 一、系统发育 二、分类 三、西藏主要大麦品种 第三节 生长发育 一、生育期和生育时期 二、种子萌发与出苗 三、根系的生长 四、茎的生长 五、叶的生长 六、分蘖及其成穗 七、穗的形成及促进大穗的途径 八、子粒的形成及提高穗重的途径 第四节 大麦生产与土肥水的关系 一、大麦对土壤的要求 二、大麦对养分的要求 三、大麦对水分的要求 第五节 大麦的栽培技术 一、轮作倒茬 二、协调产量结构 三、适宜播种 四、加强田间管理 五、特殊区域大麦栽培要点 第六节 大麦栽培的研究趋势 一、发展趋势 二、重点研究内容
文档格式:PPT 文档大小:2.66MB 文档页数:134
10.1 单片机扩展D/A转换器概述 10.2 单片机扩展并行8位DAC0832的设计 10.2.1 DAC0832简介 10.2.2 单片机与8位D/A转换器0832的接口设计 10.3 AT89S52单片机与12位D/A转换器AD667的接口设计 10.3.1 12位D/A转换器AD667简介 10.3.2 AD667与AT89S51单片机的接口设计 10.3.3 AD667使用中的技术细节 10.4 AT89S51与串行输入的12位D/A转换器AD7543的接口设计 10.4.1 AD7543简介 10.4.2 单片机扩展AD7543的接口设计 10.5 单片机扩展A/D转换器概述 10.6 单片机扩展并行8位A/D转换器ADC0809 10.6.1 ADC0809简介 10.6.2 单片机与ADC0809的接口设计 10.7 AT89S52单片机扩展12位串行ADC-TLC2543的设计 10.7.1 TLC2543的特性及工作原理 10.7.2 单片机扩展TLC2543的设计 10.8 AT89S52与双积分型A/D转换器MC14433的接口 10.8.1 MC14433 A/D转换器简介 10.8.2 单片机与MC14433的接口设计 10.9 AT89S52单片机与V/F转换器的接口 10.9.1 用V/F转换器实现A/D转换的原理 10.9.2 常用V/F转换器LMX31简介 10.9.3 V/F转换器与单片机的接口设计 10.9.4 V/F转换的应用设计
文档格式:PDF 文档大小:17.11MB 文档页数:481
第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试
文档格式:PDF 文档大小:85.59MB 文档页数:264
本书主要讲述液压与气压传动的基本原理与基本知识。内容包括:绪论,液压动力元件,液压执行元件,液压控制元件,液压辅助元件,液压基本回路,典型液压传动系统,液压传动系统的设计和计算,气压传动。本书兼顾了液压与气压传动元件、回路的通用性和特殊性,同时考虑了液压与气压传动技术的传统体系和发展趋势,突出理论与实际应用相结合,增加了对液压与气压传动行业一些较新技术成果的介绍,特别注重传授知识与培养能力之间的关系。章节层次清晰,内容简洁易懂,实例以工业应用为主,各章附有思考题与习题
文档格式:PDF 文档大小:53.28MB 文档页数:305
本书第2版是普通高等教育“十一五”国家级规划教材,被评为2007年江苏省高等学校精品教材;第1版是普通高等教育“九五”国家级重点教材,2002年获全国普通高等学校优秀教材二等奖。修订后全书内容包括:绪论、流体力学基础、能源装置及辅件、执行元件、控制元件、密封件、基本回路、系统应用与分析、系统设计与计算和附录。每章都有习题,书末附有习题参考答案(部分)本书的特点是:将液压部分与气动部分有机地融合在一起编写;强调理论联系实际,书中列举了大量工程实例;除一般机械工业外,适当扩大所涉及的工业领域范围;重视先进技术,突出比例控制系统和集成化元件的应用;
文档格式:PPTX 文档大小:1.84MB 文档页数:104
1 中断概念及处理过程 2 8086的中断系统 3 可编程中断控制器8259A及其应用 4 总结 §8.1概念及处理过程 1、中断概念 2、中断源 3、中断处理过程 (1)中断请求 (2)中断判优 (3)中断响应 (4)中断服务 ①②③④⑤ (5)中断返回 §8.2 8086中断系统 1、中断源与中断类型号 2、中断向量表 3、中断响应过程 4、中断时序 §8.3 中断控制器Intel8259A 1、性能 2、结构和工作原理 3、外部引脚和工作过程 4、工作方式 (1)中断优先权管理方式①②③④ (2)中断源屏蔽方式①② (3)结束中断方式①②③④ (4)与系统总线的连接方式①② (5)引入中断请求的方式①②③ 5、8259A的编程 (1)端口地址 (2)初始化编程ICW1-ICW4 (3)操作编程OCW1-OCW3 6、级联
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