教学目的、要求： 1.掌握BJT的电流分配、放大原理、特性曲线和主要参数； 2.掌握共射、共集电路的组成、工作原理和计算 3.能熟练地利用图解分析法确定静态工作点，掌握工作点的设置与非线性失真的关系； 章节内容： 4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

§10-1 基本概念 §10-2 阻抗（导纳）对频率响应的作用 §10-3 正弦稳态网络函数 §10-4 正弦稳态的叠加 §10-5 平均功率的叠加 §10-6 RLC电路的谐振

§9-1 基本概念 §9-2 电阻的平均功率 §9-3 电感、电容的功率 §9-4 单口网络的平均功率 §9-5 单口网络的无功功率 §9-6 复功率和复功率守恒 §9-7 正弦稳态最大功率传输定理

一、概述 二、骨架曲线的弯矩-曲率关系 三、截面尺寸和配筋构造 四、受弯构件的试验研究 五、受弯构件正截面受力分析 六、受弯构件正截面简化分析 七、双筋矩形截面受弯构件 八、T形截面受弯构件 九、深受弯构件的弯曲性能 十、受弯构件延性的基本概念

• 收入分配差距及其原因 • 分配不平等的度量 • 收入再分配理论 • 收入再分配政策

§4-1 分解的基本步骤 §4-2 单口网络的电压电流关系 §4-3 置换定理 § 4-4 单口网络的等效电路 § 4-5 等效规律和公式 §4-6 戴维南定理 §4-7 诺顿定理 § 4-8 最大功率传递定理 § 4-9 T形和形网络的等效变换

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

§1-1 集总电路 §1-2 电流、电压及功率 §1-3 基尔霍夫定律 §1-4 特勒根定理 §1-5 电阻元件 §1-6 电压源 §1-7 电流源 §1-8 受控源 controlled source §1-9 分压公式和分流公式 §1-10 两类约束 KCL、KVL方程的独立性 §1-11 支路电流法和支路电压法 §1-12 叠加原理

§9.1 粒子各运动形式的能级及能级的简并度 §9.2 能级分布的微态数及系统的总微态数 §9.3 最概然分布与平衡分布 §9.4 玻耳兹曼分布 §9.5 粒子配分函数的计算 §9.8 系统的熵与配分函数的关系