一、 测量误差与仪表准确度 （一）指示仪表的误差 任何仪表在测量时都存在误差， AX —— 指示值，A0 —— 真值 1. 基本误差：仪表本身固有的，由结构及制造工艺决定的

主运动:刀具(主轴)的旋转 分为顺铣、逆铣,故主电动机有正反转 主轴上装有飞轮,故采用电磁离合器制动 调速由齿轮变速箱实现 进给运动:

利用光学显微镜(OM)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱分析(EDS) 并结合热力学及动力学计算结果对采用真空感应熔炼和电渣重熔二联工艺生产的GH5605合金电渣锭的枝晶形貌、元素偏析和析出相进行分析.探索了合金的高温扩散退火制度并结合差示扫描量热仪(DSC) 和热压缩模拟实验分析高温扩散退火前后的合金特征.结果表明: GH5605合金中的枝晶和元素偏析情况较轻, 主要偏析元素是Cr和W并在枝晶间处偏聚, 电渣锭中的主要析出相包括奥氏体、晶界M23C6以及晶内和晶界处的奥氏体与M23C6板条状共晶相.经1210℃/8 h扩散退火处理后枝晶和元素偏析基本消除, 共晶相基本回溶

功率放大电路通常是在大信号状态下工作,是以输出较大功率为目的的放大电路。为了获得一定的不失真的输出功率它要求: 一、输出功率尽可能大; 二、效率要高; 三、非线性要小; 四、考虑管子的散热问题

8—7电势 一 电势

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

第1节 电磁感应的基本规律 第2节 动生电动势与感生电动势 第3节 互感与自感 第4节 磁能 第5节 麦克斯韦电磁理论简介

电路的输出状态不仅与同一时刻的输入状态有关，也与电路原状态有关。本章重点是掌握二进制、十进制及其相互转换，了解BCD码的含义；理解二进制计数器的逻辑功能(同步、异步、加法、减法)；难点是移位寄存器的工作原理分析，计数器的工作过程分析。 • 5.1 概述 • 5.2 触发器 • 5.3 时序逻辑电路的分析 • 5.4 常用时序逻辑电路 • 5.5 时序逻辑电路的设计 • 5.6 用PLD实现时序逻辑电路

本章重点是集成门电路，主要介绍了CMOS 和 TTL 集成门电路，重点应放在它们的输出与输入之间的逻辑特性和外部电气特性上。难点是门电路的工作原理。 • 3.1 晶体管的开关特性 • 3.2 基本逻辑门电路 • 3.3 TTL逻辑门 • 3.4 其他双极型电路 • 3.5 MOS 逻辑门 • 3.6 编程逻辑器件 (PLD)简介

一相量法 u(t)= Um cos(t+u)←→Um=Um∠u i(t)=Im cos(at+)→m=m∠9 KCL、KVL的相量表示: