第七章中规模通用集成电路及其应用 集成电路由SSI发展到MSI、LSI和VLSI,使单个芯片 容纳的逻辑功能越来越强。 一般来说,在SSI中仅是基本器件(如逻辑门或触发器) 的集成,在MSI中已是逻辑部件(如译码器、寄存器等)的 集成,而在LSI和VLSI中则是一个数字子系统或整个数字 系统(如微处理器)的集成

1. IR 脂肪族硝基化合物:1560cm-1,1390cm-1 芳香族硝基化合物:1530cm-1,1340cm-1 -NO2与芳环共轭使吸收峰向低波数移动。 2. 1HNMR -NO2为强吸电子基,使苯环上质子的化学位移向低场移动。 一、芳香族硝基化合物的反应

采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98．7%的60% SiCp/Al高体积分数复合材料．SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7．10-7．75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求．

1.1引言 1.2多媒体数据流的基本特征 1.3多媒体通信的性能描述与需求 1.4多媒体通信的服务质量 1.5多媒体通信的网络支持环境 1.6分布式多媒体应用

为了让计算机处理各种数据,首先就应该把源数据输 入到计算机中;计算机处理结束后,再将目标数据信息 以人能够识别的方式输出。C语言中的输入输出操作,是 由C语言编译系统提供的库函数来实现。 3.1格式化输出 printf函数 3.2格式化输入0函数 3.3单个字符输getchar入输出和 putchar函数 3.4顺序结构程序设计 良好的源程序书写风格——顺序程序段左对齐

分别在空气和N2中高温烧结得到了不同掺杂浓度的Fe3O4:Zn粉末.X射线衍射(XRD)结果表明,空气中烧结使得样品过氧化,生成大量的α-Fe2O3相,而N2环境下烧结可以获得较纯的ZnxFe3-xO4相.Zn2+在反尖晶石结构中A位的替位掺杂,影响到B位Fe阳离子的价态分布,电子输运依然保持了电子变程跳跃的传导机制.磁性测量结果显示低浓度的Zn2+掺杂对Fe阳离子之间的超交换耦合作用产生影响,也使负的磁致电阻的数值有所改善

第1章C语言概述 本章主要介绍C语言程序的结构和书写规则, 以及 Turbo V2.0的基本操作 1.1C语言的发展简史和特点 1.2语言程序的结构与书写规则 1.3C语言的语句和关键字 1.4 Turbo V22.0的基本操作

采用离子注入和高压电镜原位观察的方法,研究了氢对国产ODS铁素体钢辐照性能的影响.结果表明:室温注氢前后ODS铁素体钢的微观结构无明显变化;将其加热到500℃并电子辐照,未观察到辐照空洞,注氢与未注氢ODS铁素体钢室温电子辐照的结果表明:氢对点缺陷的迁移和聚集起着十分重要的作用

第三节组合逻辑控制器原理 3.3.1控制器组成 1.微命令发生器 功能:产生全机所需的各种微命令电位型脉冲型 控制最基本的操作(微操作)的命令

第3章通信用光器 3.1光源 3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构 3.1.2半导体激光器的主要特性 3.1.3分布反馈激光器 3.1.4发光二极管 3.1.5半导体光源一般性能和应用