5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

一、MKSA有理制 1、SI单位 基本单位:米、千克、秒、安培、开尔文、摩尔、坎德拉。 辅助单位:平面弧度、立体球面度。 词冠:兆(M-106)、千(K-103)、毫(m-10-3)、微(-10-6)

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