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利用光学显微镜(OM)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱分析(EDS) 并结合热力学及动力学计算结果对采用真空感应熔炼和电渣重熔二联工艺生产的GH5605合金电渣锭的枝晶形貌、元素偏析和析出相进行分析.探索了合金的高温扩散退火制度并结合差示扫描量热仪(DSC) 和热压缩模拟实验分析高温扩散退火前后的合金特征.结果表明: GH5605合金中的枝晶和元素偏析情况较轻, 主要偏析元素是Cr和W并在枝晶间处偏聚, 电渣锭中的主要析出相包括奥氏体、晶界M23C6以及晶内和晶界处的奥氏体与M23C6板条状共晶相.经1210℃/8 h扩散退火处理后枝晶和元素偏析基本消除, 共晶相基本回溶
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实验五误码测试实验 一、实验目的 1.熟悉误码测试仪的使用方法。 2.熟悉误码测试的电路和方法。 3.分析产生误码的原因及减少误码的方法。 二、实验仪器设备 HD8670型移动通信实验箱、误码测试仪等 三、实验内容 1.熟悉误码测试仪的使用方法。 2.熟悉误码测试的电路和方法。 3.分析产生误码的原因及减少误码的方法
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11-1圆柱形电容器内、外导体截面半径分别为R1和R2(R1
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9.1 正弦波振荡电路的振荡条件  9.2 RC正弦波振荡电路  9.3 LC正弦波振荡电路  *9.4 非正弦波振荡电路 
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(In, Co)共掺的ZnO薄膜(ICZO薄膜)在100 ℃下通过射频(RF)溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率,获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、原子力显微镜(AFM)、电子探针扫描(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall measurement)和振动样品磁强计(VSM)对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明,随着薄膜中In含量的提高,薄膜中载流子浓度显著提高,薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时,束缚磁极化子(BMP)模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料,致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变,并呈现在三个不同的区域
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第1节 电磁感应的基本规律 第2节 动生电动势与感生电动势 第3节 互感与自感 第4节 磁能 第5节 麦克斯韦电磁理论简介
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交、直流负反馈电压并联负反馈
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1.问题的提出 (1)变化的磁场能产生涡旋H沿L的环流与曲面有关.电场,变化的电场呢?
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1 基本要求 [TOP] 1.1 理解电解质溶液的导电机理。理解离子的电迁移和迁移数的概念和物理意义。 1.2 理解电导率、摩尔电导率的定义和物理意义,以及它们之间的相互关系,掌握相关的计算。 1.3 理解电导与离子浓度的关系、离子独立运动定律,掌握有关计算和应用
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