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7.1 CMOS反相器的直流特性 7.2 反相器的开关特性 7.3 功耗 7.4 DC特性:与非门和或非门 7.5 与非门和或非门的暂态响应 7.6 复合逻辑门的分析 7.7 逻辑门过渡特性设计 7.8 传输门和传输管 7.9 关于SPICE模拟
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第四部分合流制管渠系统的设计 一、合流制管渠系统 是指在同一管渠内排除生活污水、工业废水和雨水的管渠系统 二、合流制管渠系统特点 1、结构简单,管渠总长度小 2、与分流制相比,截流干管管径大,泵站和污水处理厂规模大 3、雨天径流时,部分生活污水也溢流到水体,造成一定程度的污染 4、晴天时,管渠内流量小,流速低,易淤积
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4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则
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3.1 集成电路工艺层 3.2 MOSFET 3.3 CMOS工艺层 3.4 FET阵列设计
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阿长与《山海经》ppt课件(含学案设计)13_《阿长与山海经》教案设计
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2010年高考语文复习计划表_2010年高考语文复习计划表
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计算图示刚架,作M图并用位移条件校核;求B点的水平位移△gHo解:1、用力法计算图示刚架
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•统计检验概要 •单正态总体的统计检验 •两正态总体的统计检验 •需要说明的问题 •正态总体的区间估计
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一、单自由度体系的水平地震作用 对于单自由度体系,把惯性力看作反映地震对结构体 系影响的等效力,用它对结构进行抗震验算
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1.计算各杄端弯矩,并作弯矩图 MB=10×3×3/2=45kNm(上侧受拉) MB=5×2=10kNm(右侧受拉) MA=10×3×3/2-52=35kNm(左侧受拉) MAB=10×6×3-5×6=150kNm(左侧受拉)
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