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§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络
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5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较
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4.1结型场效应管 4.2砷化镓金属-半导体场效应管 4.3金属氧化物-半导体场效应管 4.4场效应管放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较
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放大电路引入负反馈以后,由于1+AF>1,故A
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5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路
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3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管
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2-4:在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所 列,确定它们各为哪个电极,晶体管是NPN型还是PNP型?  解题思路:晶体管工作在放大区时发射结正偏、 集电结反偏
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一、单项选择(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 1.若要求放大电路输入电阻低,且稳定输出电流,在放大电路中应引入的负反馈类型为
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4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
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§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络
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