1 变阻尼减振军事和民用需求 2 变阻尼减振控制系统 3 变阻尼减振控制技术的国内外发展现状 3.1 自感知与自集能技术 3.2 减振控制方法 3.3 变阻尼减振方法 3.4 减振效能评估方法 4 变阻尼减振控制的工程应用 5 变阻尼减振控制技术发展需要解决的关键问题 6 电磁涡流变阻尼减振的初步研究成果

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

7.1 磁场的基本物理量 7.2 磁性材料的磁性能 7.3 磁路及其基本定律 7.4 交流铁心线圈电路 7.5 变压器 7.6 电磁铁

– 食品中的水分含量及其在生物体中的作用 – 水和冰的物理性质 – 水与冰的结构 – 食品中水的类型 – 水分活度与食品腐烂 – 食品的吸湿等温线 – 食品的冻结保藏

导体的静电平衡 电介质的极化 的高斯定理 电容器与电容 静电场的能量

§6-1 基于绝对时空的力学理论 §6-2 狭义相对论基本原理与时空的相对性 §6-3 洛伦兹变换 §6-4 光的多普勒效应 §6-5 相对论与电磁特性 §6-6 相对论动力学

§7-1 电荷 库仑定律 §7-2 电场 电场强度 §7-3 高斯定理及应用 §7.4 静电场的环路定理 电势 §7.5 等势面 电势梯度

§6-1 导体的静电平衡性质 §6.2 静电场中的电介质 §6.3 电容和电容器 §6.4 静电场的能量