2.1放大电路的基本概念及性能指标 2.2单管共射放大电路的工作原理 2.3放大电路的图解分析法 2.4放大电路的模型分析法 2.5共集和共基放大电路及BJT电流源电路 2.6多级放大电路 2.7 BJT放大电路的频率响应

2.1放大电路的基本概念及性能指标 2.2单管共射放大电路的工作原理 2.3放大电路的图解分析法 2.4放大电路的模型分析法 2.5共集和共基放大电路及BJT电流源电路 2.6多级放大电路 2.7BJT放大电路的频率响应

物质放在电场中→电场作用→被极化;反过来,→ 影响电场的分布。~电介质 研究了电介质的极化机制、极化规律以及在电介质 中电场的分布

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极

实验1 单管共射放大电路 实验2 射极输出器（共集电极电路） 实验3 集成运算放大器应用 实验4 整流滤波稳压电路

第一节 半导体器件 § 2.1.1 半导体的基本知识 § 2.1.2 PN 结及半导体二极管 § 2.1.3 半导体三极管 第二节 基本放大电路 §2.2.1 放大电路的组成 §2.2.2 放大电路的分析方法 §2.2.3 静态工作点的稳定 §2.2.4 放大器的主要性能指标 §2.2.5 多级阻容耦合放大电路

实验一 常用电子仪器使用练习 .1 实验二 单极放大电路.3 实验三 射极跟随器.6 实验四 比例求和运算电路.8 实验五 门电路逻辑功能.10 实验六 组合逻辑电路的设计.12 实验七 译码器和数据选择器.13 实验八 多功能电路的设计.14 实验九 触发器.15 实验十 时序电路测试与设计.17 实验十一 计数器.18 实验十二 移位寄存器的设计方法.19 实验十三 555 时基电路.21

3.1 差动放大电路 3.2 集成运算放大器中的单元电路 3.3集成运放简介 3.4集成运算放大器中的主要参数 3.5特殊集成运算放大器

气压放电效应是空间大功率微波部件的特殊效应之一,文章简要介绍了低气压放电效应的概念,重点阐述了低气压放电效应在理论分析及数值模拟、抑制方法和实验测试四个方面的研究进展,最后指出了低气压放电未来发展的趋势

采用液相脉冲放电技术,通过改变脉冲电压、放电次数、Ni2+浓度、pH值,以及加入稀土添加剂(LaCl3、NdCl3)等途径,研究了制备工艺中各因素对Ni-P合金粉的结构、形貌、粒径以及对Ni2+转化率的影响.结果表明,脉冲能量是影响Ni-P合金粉粒径和Ni2+转化率的主要因素,提高脉冲电压或增加放电次数,Ni-P合金粉平均粒径明显减小,而Ni2+转化率增大.聚焦光束反射测量仪(FBRM)实时监测结果表明,在放电过程中Ni-P合金粉的形核、生长速率显著大于放电结束之后的形核、生长速率.加入LaCl3、NdCl3能使Ni-P合金粉粒径减小,LaCl3质量浓度为0.1g·L·时制得的Ni-P合金粉平均粒径为156nm,NdCl3质量浓度为0.05g·L-1时其平均粒径为72nm