 定义：HD, IM, 交调点  MOS管的非线性 单端放大器 差分放大器  双极型晶体管的非线性  负反馈能够减小非线性  运算放大器的非线性  其他非线性和准则

1、晶体二极管开关特性 2、二极管限幅器及钳位器 3、晶体管开关特性 4、晶体三极管反相器

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

10.6.1 晶体管的基本结构 10.6.2 电流分配和电流放大作用 10.6.3 特性曲线 10.6.4 主要参数

一、实验目的 l．掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1．CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中，成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路，CMOS 集成电路的

第九章功率放大电路 自测题 一、选择合适的答案,填入空内。只需填入A、B或C (1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基 本不失真情况下,负载上可能获得的最大 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 (2)功率放大电路的转换效率是指 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 (3)在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放 管的集电极最大功耗约为

本文报导了用于耐蚀用途的微孔镀金的工艺。晶体管外引线的腐蚀断裂是长期未能解决的问题。通过在可伐引线上电镀暗镍——Ni-Al2O3复合镀层——酸性脉冲镀金,构成微孔金镀层体系,使腐蚀断裂倾向明显降低

本文分析了氯离子。镀层缺陷。应力和氢诸因素对晶体管外引线腐蚀断裂的影响,提出了电偶腐蚀、小孔腐蚀（或缝隙腐蚀）、应力腐蚀协同作用的机制,并用这种失效机制解释了现场所观察到的断腿问题

§4.1 场效应晶体管(FET) § 4.1.1 结型场效应管 § 4.1.2 绝缘栅场效应管（MOS) § 4.1.4 场效应管的参数和型号 §4.2 场效应放大电路

《电子电路基础》晶体管及其小信号放大——电流源电路（镜象电流源、微电流源、比例电流源、多路电流源）