研究背景 固体介质二次电子发射、电荷陷阱、气体解吸附特性 真空中固体介质表面放电现象、诊断及物理机制 基于材料选型和结构优化的表面放电抑制技术

国内外研究现状 实验系统与实验方法 沿面闪络现象与机理 沿面闪络现象的抑制 总结及今后的研究方向

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、电站用油的种类和作用 水电站的用油主要分润滑油和绝缘油两大类。 (一)润滑油 常用的润滑油有以下几种: (1)透平油(即汽轮机油) (2)机械油(简称机油) (3)压缩机油 (4)润滑脂(俗称黄油) (二)绝缘油 (1)变压器油 (2)开关油

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

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绪论 第一章 气体放电的基本物理过程 第二章 气体介质的电气强度 第三章 液体和固体介质的电气强度 按物质形态：气体、液体、固体电介质 内绝缘：液体、固体 外绝缘：气体、固体 弱电场下 极化、电导、介质损耗 强电场下 放电、闪络、击穿

第一节 晶体二极管 一、半导体的导电特性 三、晶体二极管及其特性 二、PN结及其单向导电性 四、特殊二极管 第二节 晶体三极管 一、晶体三极管的结构 二、晶体三极管的放大作用 三、晶体三极管的特性曲线 四、晶体三极管的主要参数 第三节 基本放大电路 一、放大电路的基本概念 二、基本放大电路及其工作状态分析 三、放大电路性能指标的计算 四、静态工作点稳定电路 第四节 射极输出器 一、射极输出器的工作状态 二、射极输出器的应用 第五节 场效应管及其放大电路 一、绝缘栅型场效应管 二、绝缘栅场效应管的主要参数 三、场效应管基本放大电路

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