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南京邮电大学:《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六章 负反馈第七章集成电路系统部分习题
文档格式:PPT 文档大小:363.5KB 文档页数:16
6-1如果要求开环放大倍数A变化25%时,闭环放大倍数的变化不能超过1%,又 要求闭环放大倍数A为10,试问开环放大倍数A应选多大?这时反馈系数F又应选 多大?
中国矿业大学:《数字电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 集成触发器
文档格式:PPT 文档大小:1.11MB 文档页数:65
§1 基本RS触发器 §2 同步RS触发器 §3 主从触发器 §4 边沿触发器 §5 不同功能触发器间的转换
桂林电子工业学院:《EDA技术与应用》目录
文档格式:PPT 文档大小:4.86MB 文档页数:520
第1章EDA技术概述 第2章EDA工具软件使用方法 第3章VHDL 第4章Veilog HDL 第5章AHDL 第6章常用EDA工具软件 第7章可编程逻辑器件 第8章EDA技术的应用
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:99.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
成都信息工程大学:《51单片机及其应用》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一课 绪论(郑小彪)
文档格式:PPT 文档大小:724KB 文档页数:46
1.1 电子计算机的发展概述 1.2 单片机的发展过程及产品近况 1.3 单片机的特点及应用领域
吉林大学:《信息经济学》课程电子教案(PPT课件)第七章 国民经济信息化的理论与实践
文档格式:PPT 文档大小:864.5KB 文档页数:29
7.1 信息化的由来与发展 7.2 信息化与工业化的关系 7.3 有中国特色的信息化道路 7.4 网络经济与电子商务 7.5 企业信息化与政府信息化
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
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