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9.1 I/O接口扩展概述 9.1.1 扩展的I/O接口功能 9.1.2 I/O端口的编址 9.1.3 I/O数据的传送方式 9.1.4 I/O接口电路 9.2 AT89S52扩展I/O接口芯片82C55的设计 9.2.1 82C55芯片简介 9.2.2 工作方式选择控制字及端口PC置位/复位控制字 9.2.3 82C55的3种工作方式 9.2.4 单片机扩展82C55的接口设计 9.2.5 AT89S52扩展82C55的应用举例 9.3 利用74LSTTL电路扩展并行I/O口 9.4 用AT89S52单片机的串行口扩展并行口 9.4.1 用74LS165扩展并行输入口 9.4.2 用74LS164扩展并行输出口 9.5 用I/O口控制的声音报警接口 9.5.1 蜂鸣音报警接口 9.5.2 音乐报警接口
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功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)
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半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、 参数 ⚫ 半导体器件主要包括: 半导体二极管(包括稳压管) 三极管
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第一章 光电探测基础 第二章 点探测器 第三章 直接探测与外差探测 第四章 像探测器
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《电工电子技术基础》课程PPT教学课件(电力系统稳态分析)短路计算
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本章介绍了单片机的选型及应用系统的设计过程。通过一个综合实例,完整地介绍了89C51与外围电路的硬件接口及软件设计
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一、辐射的生物效应 1.辐射危害人体的原理 (1)热效应:人体70%以上是水,水分子受到电磁波辐射后相互摩擦,引起机体升温,从而影响到体内器官的正常工作。 (2)非热效应:人体的器官和组织都存在微弱的电磁场,它们是稳定和有序的,一旦受到外界电磁场的干扰,处于平衡状态的微弱电磁场即将遭到破坏,人体也会遭受损伤
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微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
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第一节 直流电路 第二节 电路的暂态过程 第三节 交流电路
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一、光的电磁性质 二、平面电磁波及其性质 三、光波的叠加 四、电磁场的能量和能流 五、光在两种介质分界面上的反射和折射
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