Direct fiber optic controll and status Fast response(tdon 3 FS, doff <6 Hs) Precise timing Patented free-floating silicon technology High reliability Very high EMI immunity

9.1直流电机的构造 9.2直流电机的基本工作原理 9.3直流电动机的机械特性 9.4并励电动机的起动与反转 9.5并励(他励)电动机的调速

Oxide Oxide Metallization Contact processing techniques that are similar to those of today's VLSI circuits, although the device geometry, voltage and current ntSource

TOSHIBA Semiconductor Company Discrete semiconductor Division 2003 Dec DP054001101

1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:

光电效应: 光照射某些金属时能从表面释放出电子的效应 产生的电子称为光电子 光电效应是赫兹在1887年发现的.1896年汤姆逊发现了电 子之后,勒纳德证明了光电效应中发出的是电子

1.电偶极子模型 模型 光通过物质时,物质中的原子、离子或分子的电荷在入射光电矢量作用下做受迫振动

Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET

（1)在起动发动机(包括冷车的)时,一般无需踩下油门踏板。因为电控发动机都 具有冷起动混合气加浓、自动冷车快炱速等功能,能保证发动机不论在冷车或 热车正当时都能顺利起动。若在起动时油门开度太大,控制系统将会进入断油 控制状态,反而使发动机无法起动

Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com