第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

9-4环路定理电势 一、静电力的功

上一章中的两个改进的加法机清晰地解释了数据路径的概念。在整个电路中， 8位值从一 个部件传到另一个部件。它们是加法器、锁存器、选择器的输入，经过运算或操作又从这些 部件输出。这些数由开关定义，最后由灯泡来表示结果。可以认为电路中的数据路径的宽度 是8位。可是，为什么一定是8位，而不是6位、7位、9位或1 0位呢？

应变式高精度传感器是一个多变量系 统,非线性误差的影响因很多,这需要从传 感器的结构上去分析。应变式高精度传感器 一般有弹性元件,电阻应变片和测量电路三 大部分组成。工作原理用图表示如下

第七章时变电磁场 主要内容 位移电流,麦克斯韦方程,边界条件,位函数能流密度矢量,正弦电磁场,复能流密度矢量。 1.位移电流 位移电流不是电荷的运动,而是一种人为定义的概念

一、基本概念 二、氧化还原反应方程配平 三、电极电势 四、电势图及应用 五、电解 六、化学电源

2001年研究生入学考试试题 考试科目:433电路 (答案必须写答题纸上)

§3.1 负反馈的概念 §3.2 负反馈的类型及分析方法 §3.3 负反馈对放大电路的影响

1.1 信号 1.2 信号的频谱 1.3 模拟信号和数字信号 1.4 放大电路模型 1.5 放大电路的主要性能指标

2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例 2.4.0 非线性元件的认识