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一、术语解释:(共10分,每小题2分) 1.控制通道 2.低选原则 3.最佳点火提前角 4.硫化
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实验一 门电路逻辑功能及测试 实验二 组合逻辑电路 实验三 译码器和数据选择器 实验四 触发器 实验五 时序电路测试及研究 实验六 计数译码显示电路的设计 实验七 555时基电路的应用 实验八 数字电子秒表
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实验一 数字式电流继电器特性实验 实验二 数字式电压继电器特性实验 实验三 数字式反时限电流继电器特性实验 实验四 数字式差动继电器特性实验 实验五 35kV微机线路保护实验
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山东省中等职业学校骨干教师专业技能分级培训入学测试题:电子电器应用与维修(中级)专业训前测试题
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《大学物理》课程PPT教学课件:第六章 电场中的导体和电介质(6.4)电位移 有介质时的高斯定理
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CSY-2000型传感器与检测技术实验台说明书 CSY-3000型传感器与检测技术实验台说明书 实验一 电容式传感器测位移特性实验 实验二 直流激励时线性霍尔传感器测位移特性实验 实验三 电涡流传感器测量位移特性实验
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实验一 不可逆单闭环直流调速系统静特性的研究 实验二 双闭环晶闸管不可逆直流调速系统 实验三 双闭环可逆直流脉宽调速系统 实验四 双闭环三相异步电动机调压调速系统 实验五 双闭环三相异步电动机串级调速系统
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一、计算电路的瞬时(吸收的)功率
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9.6静电场中的导体 要求:电场与金属导体相互作用机理及相互影响后电场的计算
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微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
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