7.4.1二极管构成的简单逻辑门 7.4.2.1TTL与非门的工作原理(续) (3)输入至少有一个为低时

9.1 滤波电路的基本概念与分类 9.2 一阶有源滤波电路 9.3 高阶有源滤波电路 9.4 正弦波振荡电路的振荡条件 9.5 RC正弦波振荡电路 9.6 LC正弦波振荡电路

8.1 功率放大电路的一般问题 8.2 乙类双电源互补对称功率放大电路 8.3 甲乙类互补对称功率放大电路 *8.4 集成功率放大器

7.1 反馈的基本概念与分类 7.3 负反馈放大电路增益的一般表达式 7.4 负反馈对放大电路性能的影响 7.2 负反馈放大电路的四种组态 7.6 负反馈放大电路的稳定性 7.5 深度负反馈条件下的近似计算

5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 *4.7 放大电路的频率响应 *4.8 单级放大电路的瞬态响应

3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管

5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析

5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应