CF卡有PC卡1O、 MEMORY及 True Ide等3种模式,而 True IDE模式兼容IDE硬 盘,该模式比其它的两种模式更实用,是3种模式中使用较多的一种。本节中描述CF卡在 True ide模式下的应用。 使用LPC2210的通用可编程IO口,模拟产生ATA设备的读写时序,实现对CF卡及 IDE硬盘等ATA设备读写操作

通过本章学习掌握证券组合的收益与风险 衡量,掌握马柯维茨均值一方差理论,资本资 产定价理论,国际资本资产定价理论以及证券 投资组合绩效评价的理论

目录 第1章绪论 第2章逻辑代数基础 第3章逻辑门电路 第4章集成触发器 演示文 第5章脉冲信号的产生与整形 第6章组合逻辑电路 第7章时序逻辑电路 第8章数模与模数转换器 第9章半导体存储器 第10章可编程逻辑器件

§8.0 引言 §8.1 可逆电池概念及其研究意义 §8.2 构成可逆电池的条件 §8.3 可逆电极的类型 §8.4 电池的习惯表示法 §8.5 电池表示式与电池反应 §8.6 可逆电池电动势的测量 §8.7 可逆电池的热力学关系 §8.8 电池电动势的产生机理 §8.9 标准氢电极及标准电极电势 §8.10 电池的种类及其电动势计算 §8.11 电动势测定的应用 §8.12 生物膜电势

14.1通有电流1的导线形状如图所示,图中ACDO是边 长为b的正方形.求圆心O处的磁感应强度B=? [解答]电流在O点的产生的磁场的方向都是垂直纸面向里 的.根据毕萨定律:

7.3锁相频率合成电路 7.3.1锁相环路 7.3.2锁相频率合成器

7.1正弦波振荡电路 引言 7.1.1正弦波振荡电路的工作原理 7.1.2RC正弦振荡 7.1.3LC正弦振荡

高能束流通常是指激光束、电子束及离子 束等载能粒子流,俗称\三束”;其功率密度在 103W/cm2以上,定向作用在金属(材料)的 表面,使照射斑处瞬间产生物理、化学或结构 的变化。 谈及控制,自然涉及束流的强度,形状 及轨迹;工件(材料)的移动和两者之间的介 质(环境)等三个方面,本节主要介绍三束 相关这三个方面的内容

第7章 波形发生电路 7.1正弦波振荡电路 7.2非正弦波信号产生电路

QAMa Quadrature Amplitude Modulation,正交御度调间 DATe Discrete multi Tone,高 捷入网的两个武准G.902、Y.1231 多背 CAPI Carrierless Amplitude-Phase 无新相调制 G902定义献入同围由三个接口定界:用产网始接日 UNI User Network Interface(连新代的 DSLI ADSI2、ADSL2+、vDsL 接用户与接入网之问的接口,类型:单一UM和共享UN)业务节点接口 SNI Service xDSL 2.DL EEE HDSL、sDsL、Isl