5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

5.1概述(触发器的特点和分类方式) 5.2R锁存器 5.3电平触发的触发器 (电路结构、工作原理、动作特点) 5.4脉冲触发的触发器 (电路结构、工作原理、动作特点) 5.5边沿触发的触发器 (电路结构、工作原理、动作特点) 5.6触发器的逻辑功能及其描述方法

7.1反馈的基本概念与分类 7.2负反馈放大电路的四种组态 7.3负反馈放大电路增益的一般表达式 7.4负反馈对放大电路性能的影响 7.5深度负反馈条件下的近似计算 7.6负反馈放大电路设计 7.7负反馈放大电路的频率响应 7.8负反馈放大电路的稳定性

第八章功率放大器 8.1概述 8.2互补对称功率放大电路 8.3实际功放电路 8.4集成功率放大器 8.5变压器耦合式功放电路

第三章放大电路中的负反馈 3.1负反馈的概念 3.2负反馈的类型及分析方法 3.3负反馈对放大电路的影响

第五章放大电路的频率特性 5.1频率响应概述 5.1.1研究放大电路频率响应的必要性 在放大电路中

5.1 功率放大电路的一般问题 5.2 乙类互补对称功率放大电路 5.3 甲乙类互补对称功率放大电路 *5.4 集成功率放大器 5.5 功率器件

3.3直接耦合放大电路 直接耦合放大电路:可用于放大变化缓慢(低频)的信号 3.3.1直接耦合放大电路的零点漂移现象 一、零点漂移现象及其产生的原因

《模拟电子技术》课程电子教案（PPT课件）第4章 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 半导体三极管 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较