5.16 Dislocation in FCC crystals Perfect dislocation b =na, +nb. +nC

5. 8 The Stress Around a Dislocation 1. Screw dislocation: Displacement:

一、工程管理信息系统开发的组织实施 二、管理信息系统开发的技术基础 三、管理信息系统的开发方法 四、管理信息系统开发的过程管理

1.1 要点扫描 1.1.1 晶体材料的结合键 1.1.2 空间点阵和晶胞 1.1.3 常见纯金属（FCC、BCC、HCP）的晶体结构 1.1.4 晶面指数和晶向指数及其标注 1.1.5 标准投影 1.1.6 倒易点阵和晶体学公式 1.1.7 合金相结构 1.1.8 离子晶体结构 1.1.9 共价晶体结构 1.2 难点释疑 1.2.1 7 大晶系包含的点阵类型为什么不是 28 种，而是 14 种？ 1.2.2 为什么没有底心正方和面心正方点阵？ 1.2.3 确定晶面指数时应注意哪些问题？ 1.2.4 立方晶系中重要晶面上的晶体排列及面密度 1.2.5 立方晶系中重要方向上的晶体排列及线密度 1.3 解题示范 1.4 习题训练

2.1 要点扫描 2.1.1 点缺陷及其平衡浓度 2.1.2 位错的基本类型及柏氏矢量 2.1.3 位错的应力场 2.1.4 位错的弹性能和线张力 2.1.5 作用在位错上的力和 Peach-Koehler 公式 2.1.6 位错间的交互作用 2.1.7 位错的起动力——Peirls-Nabarro 力 2.1.8 FCC 晶体中的位错 2.1.9 位错反应 2.1.10 HCP、BCC 及其他晶体中的位错 2.1.11 晶体中的界面与表面 2.1.12 位错的观察及位错理论的应用 2.2 难点释疑 2.2.1 柏氏矢量的守恒性 2.3 解题示范 2.4 习题训练

6. 8 Diffusion Mechani sm Flick's' law in microscopic form 1. One dimensional diffusion. jump frequency period probability of atom jumping to nearest position

36. 5 concentration dependence of D. Matano method d -C- dependence ll Matano method

1. Classification y Ideal or perfect crystal real or defect crystal According to dimension o point defect: vacancies, interstitial atoms s line defect dislocation planar defect: stacking fault o volume defect mosaic structure

3. Application of Schmid's law How to determine the active S.S. for all the equivalent S.S. 2 Determine the active S.S. by Reflection Rule. Orientation cell for cubic crystals. Given: BCC Crystal having {110}slip system. Determine: active slip system in response to tensile loading along

I Introduction Silicates are compounds that mainly composed of [sio4]. It is the essential components of most rock and soil, such as quartz, feldspar, mica etc