第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

8.1功率放大电路的一般问题 8.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?它们中哪一类放大电路效率最高?

一、非周期信号是无穷多个余弦分量的线性组合 二、每个余弦分量的振幅(X()do→0 三、频率遍布整个频城:0>∞ 四、谱线间距dω→0连续谱(频谱密度函数) 五、频率拓展为双边谱得

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一、重量分析法的分类和特点 重量分析是通过物理和化学反应将试样中待测组分与 其他组分分离，以称量的方法计算待测组分的含量 的方法。根据分离方法的不同可分为：

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1. 意外伤害(Unintentional Injury) ：突然发生的事件对人体所造成的肉体和精神上的伤害，原因包括物理、化学和生物等各种因素，是儿童致伤、致残、致死的主要原因之一

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