采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

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本文研究了热处理因素对W+Mo含量达12%的10Cr-15Co-Ni基高温合金弯曲晶界形成的影响。指出在固溶处理后以1-10℃/分冷却和固溶处理后空冷至1020-1130℃并在这一温度范围保温一定时间均可获得弯曲晶界。在弯曲晶界上同时并存有参与热处理过程的两种性质不同的r'和MbC型碳化物相,MbC型碳化物的生核并迅速长大是该类型合金引起晶界弯曲的主导因素,这一观点与传统的看法即在高合金化Ni基合金中r'相的不连续沉淀引起晶界弯曲是截然不同的。同时提出了在该类型合金中弯曲晶界形成的模型以及讨论了弯曲晶界形成的机理

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在水-乙醇介质中,稀土与偶氮胂Ⅲ在pH为1.2~2.1的酸度范围内可形成1:2的紫红色络合物,摩尔吸光系数高达8.2×104l·mol·cm-1,含稀土总量为0~50μg/25ml范围内服从比尔定律。铁的干扰采用EDTA掩蔽,避免了复杂的分离手续。该方法具有较高的灵敏度,选择性、重现性良好,用于稀土硅镁合金中稀土总量的测定,分析结果满意,已用于生产