一、半导体中电子状态和能带 二、半导体中电子的运动和有效质量 三、半导体中载流子的产生及导电机构 四、半导体的能带结构

人口数量，物种数量，网络系统元件的运行状态。 状态转移：变化率（即：某个物理量导数）。 微分方程模型：导数与各个变量之间的某种平衡关系。 本章内容：微分方程（组）的模型建立、数值解、 图形解；用 Matlab 几何直观地展示各种求解方法的求 解结果

一、根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为： 二、浅能级杂质→能级接近导带底 Ec 或价带顶 Ev； 三、深能级杂质→能级远离导带底 Ec 或价带顶 Ev

一、热平衡 二、热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 三、本征半导体载流子浓度的计算 四、杂质半导体载流子浓度的计算 五、简并半导体载流子浓度的计算

一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

一、微分方程在几何中的应用举例 二、微分方程在物理学中的应用举例 三、其它应用举例

第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

例 1. 证明:对于能带中的电子，K 状态和-K 状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

8.1功率放大电路的一般问题 8.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?它们中哪一类放大电路效率最高?