§13-1 带传动的类型和应用 §13-2 带传动的受力分析 §13-3 带的应力分析 §13-4 带传动的弹性滑动和传动比 §13-5 普通V带传动的计算 §13-6 V带轮的结构 §13-7 同步带传动简介 §13-8 链传动的特点和应用 §13-9 链条和链轮 §13-11 链传动的主要及其选择 §13-12 滚子链传动的计算 §13-10 链传动的运动分析和受力分析 §13-13 链传动的润滑和布置 带传动和链传动都是通过中间挠性件传递运动和动力的，适用于两轴中心距较大的场合。与齿轮传动相比，它们具有结构简单，成本低廉等优点

第一章现代电源技术概述 1-1电源技术的现状与发展 1-1-1功率半导体技术的现状与发展 1-1-2电源技术的新进展 1-2电源的构成及特点 1-2-1现代电源的构成原理及特点 1-2-2开关电源的分类 1-2-3开关电源常用的拓扑结构 1-2-4电源主要参数分析 第二章电源中的电力电子器件与基础电路 2-1电力电子器件 2-2基础电路 2-2-1EMI滤波电路 2-2-2整流与滤波电路 2-2-3功率变换电路 2-2-4控制与驱动电路 2-2-5保护电路

概述：(1)钢经奥氏体化后快冷，抑制了扩散相变，在较低温度下发生无扩散相变转变为马氏体，是热处理强化的主要手段，对工业生产有十分重要的意义；(2)上个世纪初把高碳钢淬火后得到的脆而硬、具有铁磁性的针状组织称为马氏体，六十年代以来现代测试技术发展，对马氏体成分-组织-结构-性能之间有了较深刻的认识；(3)在除了钢以外的铁合金、非铁合金、陶瓷材料等发现了马氏体相变；(4)马氏体相变仍存在一些未知的问题(转变机理等)需待研究。本章重点：马氏体相变的主要特点、马氏体的组织形态及性能、Ms点定义及影响因素。本章难点：马氏体转变的主要特征、马氏体产生异常正方度的原因以及马氏体相变的晶体学位向关系

现代工程结构中出现了越来越多的超静定结构,其中大多数是梁和刚架(组合结构), 如:教学楼,图书馆、外招、科学馆、电教馆等。 基本解法:力法,位移法但是我们发现:无论是力法或位移法,如果未知量数目在 三个以内,算起来比较容易,三个一五个,有点费劲,五个以上一十个,比较困难,而 十个以至更多未知量,很困难或无法用力法或位移法计算,而工程实际结构,也就是横 向三跨七层刚架4×7+7=35个(位移法)7×3×3=63个(力法)纵向连续梁,七跨或 八跨,也有7、8个未知量

多元分析（multivariate analyses）是多变量的统计分析方法，是数理统计中应用广泛的一个重要分支，其内容庞杂，视角独特，方法多样，深受工程技术人员的青睐和广泛使用，并在使用中不断完善和创新。由于变量的相关性，不能简单地把每个变量的结果进行汇总，这是多变量统计分析的基本出发点。 §1 聚类分析 §2 聚类分析案例—我国各地区普通高等教育发展状况分析 §3 主成分分析 §4 主成分分析案例－我国各地区普通高等教育发展水平综合评价 §5 因子分析 §6 因子分析案例 §7 判别分析 §8 典型相关分析（Canonical correlation analysis）

(1)了解螺纹的类型和主要参数以及螺纹联接的基本类型。 (2)了解螺栓联接的预紧，防松和螺旋传动的特点、类型。 (3)掌握各种联接方式的工作原理和强度计算方法，能根据工程实际问题正确选用相应的联接类型并进行强度计算。 §10－1 螺纹参数 §10－2 螺旋副的受力分析、效率和自锁 §10－3 机械制造常用螺纹 §10－4 螺纹联接的基本类型及螺纹紧固件 §10－5 螺纹联接的预紧和防松 §10－6 螺纹联接的强度计算 §10－7 螺栓的材料和许用应力 §10－8 提高螺栓联接强度的措施 §10－9 螺旋传动 §10－10 滚动螺旋简介 §10－11 键联接和花键联接 §10－12 销联接

10.1 单片机扩展D/A转换器概述 10.2 单片机扩展并行8位DAC0832的设计 10.2.1 DAC0832简介 10.2.2 单片机与8位D/A转换器0832的接口设计 10.3 AT89S52单片机与12位D/A转换器AD667的接口设计 10.3.1 12位D/A转换器AD667简介 10.3.2 AD667与AT89S51单片机的接口设计 10.3.3 AD667使用中的技术细节 10.4 AT89S51与串行输入的12位D/A转换器AD7543的接口设计 10.4.1 AD7543简介 10.4.2 单片机扩展AD7543的接口设计 10.5 单片机扩展A/D转换器概述 10.6 单片机扩展并行8位A/D转换器ADC0809 10.6.1 ADC0809简介 10.6.2 单片机与ADC0809的接口设计 10.7 AT89S52单片机扩展12位串行ADC-TLC2543的设计 10.7.1 TLC2543的特性及工作原理 10.7.2 单片机扩展TLC2543的设计 10.8 AT89S52与双积分型A/D转换器MC14433的接口 10.8.1 MC14433 A/D转换器简介 10.8.2 单片机与MC14433的接口设计 10.9 AT89S52单片机与V/F转换器的接口 10.9.1 用V/F转换器实现A/D转换的原理 10.9.2 常用V/F转换器LMX31简介 10.9.3 V/F转换器与单片机的接口设计 10.9.4 V/F转换的应用设计

1．掌握羧酸及其衍生物的系统命名法及某些俗名，注意不饱和酸中双键位次的表示法。 2．掌握羧酸及其衍生物的化学性质：酸性与原因；酯化及其历程；酰卤的生成；脱羧与结构的关系；α-H卤代发生的条件和应用；还原与常用的还原剂；羧酸衍生物的水 解、醇解和氨解。 3. 理解影响羧酸酸性的因素、诱导效应、共轭效应、比较各类化合物酸碱性强弱。 4．理解酰基碳上的亲核取代（加成—消除）反应机理。 5．理解甲酸和乙二酸的还原性。 6. 了解碳酸衍生物。 7．了解二元酸和羟基酸、羰基酸的主要反应。 8．了解饱和一元酸的常用制备方法。 9．了解油脂的组成和性质（氢化、碘值、皂化值酸败） 10．了解羧酸及其衍生物的的光谱性质

14.1 干扰的来源 14.2 供电系统干扰及其抗干扰措施 14.2.1 电源噪声来源、种类及危害 14.2.2 供电系统的抗干扰设计 14.3 过程通道干扰的抑制措施—隔离 14.3.1 光电隔离的基本配置 14.3.2 光电隔离的实现 14.4空间干扰及抗干扰措施 14.4.1 接地技术 14.4.2 屏蔽技术 14.5 反电势干扰的抑制 14.6 印刷电路板的抗干扰设计 14.6.1 地线及电源线设计 14.6.2 去耦电容的配置 14.6.3 印制板的布线的抗干扰设计 14.7软件抗干扰措施 14.7.1 软件抗干扰的一般方法 14.7.2 指令冗余和软件陷阱 14.7.3 软件滤波 14.7.4 开关量输入/输出软件抗干扰设计 14.8 看门狗定时器的使用

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质