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文库搜索结果(9003)
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入( ) A.3 价元素 B.4 价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:194KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1.理想情况下,差动放大器的差模输入电阻为( ) A.1 B.0 C.∞ D.100
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:102.5KB 文档页数:3
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2002年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:159KB 文档页数:5
一、填空题(每小题 1 分,共 10 分) 1.PN 结反向偏置时,PN 结的内电场被___________。 2.共射放大电路,将 IEQ 增大,rbe将___________。 3.集成功放 LM386,共有引脚___________个。 4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或___________状态
中南民族大学:《无机化学》课程教学资源(PPT课件)3 原子结构 Structure of Atoms
文档格式:PPT 文档大小:2.85MB 文档页数:97
重点要求掌握四个量子数对核外电子运动状态的描 述熟悉s,p,d原子轨道和电子云的形状和伸展方向;掌握 周期系内各元素原子的核外电子层结构的特征,电子排 布规律 3.1 核外电子的运动状态 3.2 核外电子的排布和元素周期律 3.3 元素基本性质的周期性
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
青岛远洋船员职业学院(青岛远洋船员学院):《船舶柴油机》课程教学资源(PPT课件)第八章 柴油机的调速装置(8.5)电子调速器及超速保护装置
文档格式:PPT 文档大小:531.5KB 文档页数:9
凡转速感应元件或执行机构采用电气方式的调速器,习惯上统称为电子调速器
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:260KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V
武警学院:《大学物理学》第八章 静电场的性质与计算 8.4 电场强度通量 高斯定理 电场强度通量 高斯定律 高斯定律应用举例 8-5 密立根测定电子电荷的实验
文档格式:PPT 文档大小:778.5KB 文档页数:23
8-4 电场强度通量 高斯定理 电场强度通量 高斯定律 高斯定律应用举例 8-5 密立根测定电子电荷的实验
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:275KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低
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