研制了一种无机材料构成的验电标识,放置在导线周围,通过电场驱动电子的运动,促进载流子复合,进而使材料发光,从而判断带电情况,其作为验电标识使用非常便捷.选取了氮化镓GaN材料进行研究,以GaN、InGaN等材料为基础,通过溶胶凝胶法、气相外延等方法制备接触层、基片层、材料层等结构,进而获得了验电标识,该验电标识的发光层是具有多量子肼结构的纳米棒阵列.然后对其进行了电学光学性能参数测试,获得了有关特性曲线,通过Ansoft-maxwell有限元软件进行仿真,分析材料在特高压输电线路周围的电场分布,通过试验分析验电标识发光所需求的电磁环境.最后模拟导线现场进行测试.研究表明,该低场致发光特性的验电标识具有发光功耗低,发光明显等优点,其处于所在区域的电场强度达到1.2×106V·m-1以上时,可激发发光,此时所注入电流约为1.1 mA.通过仿真和试验分析可知带电特高压输电线路周围的空间电场强度满足验电标识发光指示的要求,同时空间杂散电流和材料本身的电容效应提供注入电流.该验电标识通过材料本身发光特性来指示带电状态,安装在距离特高压导线轴线13 cm及以内的范围即可实现验电,通过封装具有较好的耐候性能,同时避免了复杂的电路装置验电存在易受电磁干扰,可靠性差等问题

提出了一种可以制备冶金结合界面双金属复合板带的水平连铸复合成形新工艺，其具有短流程、高效的特点。采用该工艺制备了截面尺寸为70 mm×24 mm（宽度×厚度）的铜铝复合板，获得了可行的制备参数，研究了所制备板坯的组织形貌和性能。结果表明，铜铝复合板制备成形过程中，会形成由金属间化合物和共晶相组成的复合界面层。铝液和铜板表面接触，发生固液转变形成（II）层：θ相。随着铜原子不断的向铝液中扩散，当铜原子含量达到一定程度，θ相发生固相转变形成（I）层：γ相。达到共晶温度时，发生共晶转变形成（III）层：α+θ共晶组织。其中I层和II层均为铜铝金属间化合物，是裂纹产生和扩展的主要区域，因此界面层厚度是决定结合强度的重要因素。通过调整工艺参数可以优化凝固过程中铜铝复合板内的温度场分布，进而控制复合界面层的形成过程，因此工艺参数之间的合理匹配是改善复合层组织结构和增大板坯结合强度的关键

目 录 第一章 数字电路基础知识 1.1 数字信号与模拟信号 1.2 数制 1.3 码制 1.4 算数运算与逻辑运算 1.5 数字电路的学习指导 第二章 逻辑函数及其简化 2.1 逻辑代数 2.2 逻辑函数的简化 第三章 集成逻辑门 3.1 晶体管的开关特性 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 CMOS集成逻辑门电路 第四章 组合逻辑电路 4.1 组合逻辑电路的分析 4.2 组合逻辑电路的设计 4.3 组合逻辑电路的竞争- 冒险现象 目 录 第五章 触发器 5.1 基本RS触发器 5.2 RS触发器 5.3 JK触发器 5.4 D触发器 5.5 T触发器和T`触发器 5.6 各种触发器功能的比较和电路结构 5.7 触发器的应用 第六章 时序逻辑电路 6.1 时序逻辑电路分析 6.2 时序逻辑电路设计 第七章 数字电路的制图与读图 7.1 数字电路的制图 7.2 数字电络的读图 第八章 半导体存储器 8.1 概述 8.2 顺序存取存储器 8.3 随即存取存储器 8.4 只读存储器 8.5 存储器的应用举例 第九章 可变器件及电子设计自动化软件 9.1 可编程器件 9.2 可编程器件的编程工具及编程模式 第十章 脉冲单元电路 10.1 脉冲信号 10.2 标准集成电路构成的脉冲单元电路 10.3 555定时器及应用 第十一章 数/模转换器和模/数转换器 11.1 数/模与模/数转换器概述 11.2 数/模转换器 11.3 模/数转换器 11.4 集成数/模和模/数转换器件及其应用

采用Al-KBF4-K2ZrF6组元通过熔体直接反应法制备了ZrB2颗粒增强铝基复合材料,优化的初始合成温度范围为850~870℃,反应时间为25~30 min.扫描电镜观察结果显示:ZrB2颗粒尺寸为300~400 nm,颗粒间距200 nm左右,有团簇现象,团簇体尺寸为30~40μm.当颗粒理论体积分数为3%时,单位熔体体积内ZrB2颗粒形核数量为6.68×1017 m-3,平均线长大速率为47.3nm·s-1.分析团簇原因认为:大量细小高熔点ZrB2增加了熔体黏度,颗粒扩散阻力大,限制了颗粒迁移位移;ZrB2颗粒因密度大具有较高的沉降速率.原位反应过程分析表明:通过Al3Zr-AlB2间的分子化合及[Zr]-[B]间的原子化合得到ZrB2颗粒,是高温稳定相

植物生长( plant growth)是指植物在体积和重量(干重)上的不可逆增加,是由细胞分 裂、细胞伸长以及原生质体、细胞壁的增长而引起 严格地讲,植物的个体发育是从形成合子开始,但由于农业生产往往是从播种开始,因 此,一般将植物从种子萌发到形成新种子的整个过程称为植物的发育周期。 种子的生活力和活力是决定种子正常萌发和形成健壮、整齐幼苗的内部因素,而充足的水 分、适宜的温度和足够的氧气是所有种子正常萌发所需的外界条件,有些种子的萌发则对光照 还有一定的要求 组织培养是依据细胞的全能性发展起来的一项技术。在研究植物生长发育规律以及生产实 践领域中以得到广泛的运用

1982年,IBM瑞士苏黎士实验室的葛宾尼(Gerd Binning)和海·罗雷尔(Heinrich Rohrer) 研制出世界上第一台扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,简称stm).stm 使人类第一次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物 化性质,在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广泛的应用 前景,被国际科学界公认为80年代世界十大科技成就之一.为表彰STM的发明者们对科 学研究的杰出贡献,1986年宾尼和罗雷尔被授予诺贝尔物理学奖. 与其它表面分析技术相比,STM具有如下独特的优点:

为研究堆浸体系矿石粒径分布对孔隙结构的影响，对不同级配矿岩散体构成的浸柱开展显微CT扫描测试，得到浸柱内部结构图像。通过阈值分割算法对孔隙结构进行提取，建立浸柱三维孔隙模型，对浸柱体孔隙率和面孔隙率的空间分布特征进行研究。利用最大球算法构建浸柱孔隙网络模型，进而分析矿石粒径分布对孔喉半径、喉道长度、孔喉体积、形状因子和配位数等参数的影响规律。结果表明：矿石颗粒级配性越好，矿堆孔隙率越低；矿石粒径越均匀，矿堆不同区域孔隙率差异越小；矿石粒径分布对孔隙尺寸和连通性影响较为显著，对孔喉形状因子影响较小。随着细颗粒矿石的减少，大孔隙增多，孔喉半径、喉道长度和孔喉体积相应增大；随着矿石粒径均匀性的增加，堆浸体系中孤立孔隙所占比例减少，高配位数孔隙所占比例增大，即矿堆内的孔隙空间具有更好的连通性

现代电子封装迫切需要开发新型高导热陶瓷（玻璃）基复合材料.本文在对镀钛金刚石进行镀铜和控制氧化的基础上，利用放电等离子烧结方法制备了金刚石增强玻璃基复合材料，并观察了其微观形貌和界面结合情况，测定了复合材料的热导率和热膨胀系数.实验结果表明：复合材料微观组织均匀，Ti/金刚石界面是复合材料中结合最弱的界面，复合材料的热导率随着金刚石粒径和含量的增大而增加，而热膨胀系数随着金刚石含量的增加而降低.当金刚石粒径为100 μm、体积分数为70%时，复合材料热导率最高达到了40.2 W·m-1·K-1，热膨胀系数为3.3×10-6K-1，满足电子封装材料的要求

采用阴极弧离子镀法在GH4169合金表面制备了TiAlSiN涂层,通过扫描电镜和能谱仪分析了其表面和界面的形貌和能谱,用轮廓仪测试了涂层表面粗糙度.在往复式摩擦磨损试验机上进行了涂层摩擦与磨损实验,通过能谱仪分析了涂层表面磨损后点能谱和面能谱,考察了TiAlSiN涂层的摩擦因数和磨损性能,对其磨损机理进行了讨论.实验结果显示涂层表面组织结构较为致密,表面粗糙度为194.57 nm;涂层主要成分为Ti、Al、Si和N元素,Si原子细化了TiN和AlN晶粒;涂层结合界面发生了化学反应和成分的相互扩散,其结合形式为化学结合;涂层摩擦因数平均值为0.493,磨损形式为磨粒磨损;磨损痕迹面扫描结果表明,磨损后Al和Ti形成的氮化物减少,Si和N原子无明显的减少现象,涂层耐磨性增强主要依赖于Si和N形成的化合物

工業發酵是微生物群體活動的動態過程°此過程靠如下三 種流動來維繫ν即伴隨能量形式的轉換而發生的電子流動丶伴隨 異化和同化作用而發生的物質流動以及伴隨不同水平上的代謝調 節而發生的資訊流動在分析以上三種流動的運行規律和工業發 酵大量資訊的基礎上’運用歸納邏輯的方法提岀了關於微生物生 物工程的三個基本假說’即生物能支撐假說丶代謝網路假說和細 胞經濟假說如果這些假說成立’就有可能對工業發酵的微生物 代謝進行導向