PN结的构成:半导体材料的一部分是N型半导体材料,一部分是P型半导体材料型。 N结的性质:单向导电性。电流随电压变化的特性如图XCH007012所示

1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:

§4.1 半导体二极管 4.1.1 半导体的物理特性 4.1.2 二极管结构和分类 4.1.3 半导体二极管的伏安特性 4.1.4 二极管的主要参数 4.1.5 二极管的电路模型及应用 4.1.6 稳压二极管 4.1.7 变容二极管 §4.2 双极型晶体管 4.2.1 三极管的结构及电路组态 4.2.2 三极管的特性曲线和工作状态 4.2.3 晶体管的主要参数 §4.3 绝缘栅型场效应晶体管 4.3.1 MOS管类型 4.3.2 MOS管的伏安特性曲线和工作状态 4.3.3 MOSFET主要参数

1 微波基本测量 2 二维电场的模拟实验 3 电磁波的布拉格衍射实验 4 射频图像传输 5 偏振光实验 6 光源光谱特性的测量 7 光磁共振实验 8 半导体光电导实验 9 光栅实验 10 单色仪的标定实验 11 迈克尔逊干涉仪 12 半导体光伏效应实验 13 半导体霍尔效应实验 14 PN 结正向压降温度特性实验 15 半导体少数载流子寿命测量 16 四探针测电阻率实验

湖南人文科技学院：信息学院电子信息科学与技术专业《半导体器件物理》课程教学大纲

苏州大学：电子信息学院《半导体器件物理》课程教学大纲

苏州大学：电子信息学院《半导体器件物理》课程教学大纲

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

§1.1 半导体物理与微电子学的关系 §1.2 微电子学与半导体物理发展之间关系 §1.3 集成电路技术的发展规律 §1.4 微电子技术发展趋势和面临的挑战 §1.5 本课程的定位和内容安排

§4.1 载流子的热运动和散射 §4.2 载流子的输运 §4.3 载流子迁移率 §4.4 非平衡情形的过剩载流子 §4.5 准费米能级 §4.6 半导体基本的物理方程