1.试计算(a)电子束在电位差为110V加速下的波长; (b)波长为150pm的德布罗意波电子的动能。 2.若将一个电子处于长1000pm的分子中看成是一维势箱

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定

教学内容及教学过程 一、桁架的构成 A)、桁架:什么是桁架?其应用何在? B)、桁架的分类:平面桁架、空间桁架;节点 C)、理想桁架的特点 1、节点抽象为光滑铰链连接; 线 2、杆件自重不计,必须考虑杆件自重时可平均分配到两端节点上; 3、外力(载荷和约束)都作用于节点上。 一满足以上三条假设的横加称之为理想桁架,这种桁架的杆件都是二力杆,它们只 承受拉力或压力,其材料的性能可以充分利用

1､约束项､任意项和无关项 （1）约束项 例如：有三个逻辑变量A､B､C，它们分别表示一台电动机正转､反转和停止的命令

一、填空题(每空1分,共20分) 1.(62)10=()2=()8421BCD码 2.已知函数Y=(A,B,C)=m(134,5),可知使=0的输入变量最小项有个

1､约束项､任意项和无关项 （1）约束项 例如：有三个逻辑变量A､B､C，它们分别表示一台电动机正转､反转和停止的命令

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺