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全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:194KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1.理想情况下,差动放大器的差模输入电阻为( ) A.1 B.0 C.∞ D.100
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:104KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N 型半导体是在本征半导体中掺入( ) A.3 价元素 B.4 价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:77KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 1 分,共 15 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.三极管β值是反映( )能力的参数。 A.电压控制电压 B.电流控制电流 C.电压控制电流 D.电流控制电压
《网页设计与制作》课程教学资源(试卷习题)全国2005年4 月高等教育自学考试
文档格式:DOC 文档大小:760.5KB 文档页数:9
一、单项选择题(本大题共 20 小题,每小题 1 分,共 20 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.域名系统能够将( D ) A.域名转换成主机名 B.主机名转换成域名 C.主机名转换成 IP 地址 D.域名转换成 IP 地址
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:126.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 1 分,共 15 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的 括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要提高放大电路的负载能力,可引入( ) A.串联负反馈 B.电压负反馈 C.并联负反馈 D.电流负反馈
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:102.5KB 文档页数:3
一、单项选择题(本大题共 14 小题,每小题 1 分,共 14 分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
中央财经大学:《考研试题集》 1999年硕士研究生入学考试经济学
文档格式:DOC 文档大小:21.5KB 文档页数:5
一、政治经济学:(60分) (一)下列每题的选项中,至少有一项是符合题意的。请将所选项前的字母按题号顺序写在答题纸上:多选、漏选、错选,该小题不得分(每小题2分,共20分) 1.货币的起源是由于 ①黄金的发现 ②国家的产生 ③商品交换自发产生的 ④商品使用价值和价值矛盾发展的结果 ⑤人们为了携带方便而创造发明的
高考复习:语言表达连贯解题方略ppt课件_语言表达连贯第一课时 定位选句题解题方略
文档格式:PPT 文档大小:99.5KB 文档页数:15
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