以CaF2＋SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2（MgO）固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10s左右,稳定时间在20s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合

采用弹性力学有限单元分析和光弹实验方法以解决高精度传感器结构设计问题是当前研究传感器结构的一个新尝试。本文介绍了用有限元及光弹对剪幅武传感器变形状态、应力状态进行了分析,由计算和试验的结果,提出此类传感器结构设计中关于:a)轮幅上的剪应力分布;b)轮幅上等剪应力区和等倾线分布;c)影响剪应力分布的结构因素等的分析和试验结果。分析和实验结果表明:1.沿轮幅轴线最大剪应力分布是不均匀的;2.在轮幅上存在一最大剪应力的等剪应力区;3.最大剪应力所在部位其主应力倾角不一定是45°。为了满足传感器精度的要求,通过实验可以指示合理的结构形式,电阻应变片应粘贴的部位与尺寸范围,以及对于一个给定的传感器应变片的最大允许尺寸等

第三章传感器与驱动装置 3.1传感器的基本概述 3.2开关量传感器的主要工作原理 3.3模拟量传感器的主要工作原理 3.4楼宇自动化中应用的传感器 3.5阀门与电动执行器

CSY－2000型传感器与检测技术实验台说明书 CSY－3000型传感器与检测技术实验台说明书 实验一 电容式传感器测位移特性实验 实验二 直流激励时线性霍尔传感器测位移特性实验 实验三 电涡流传感器测量位移特性实验

一、自感式传感器 二、气隙型自感传感器 三、螺管型自感传感器 四、自感线圈的等效电路

一、传感器概述 传感器的概念:指能感受规定的物理量,并按照一定规律转换成可用输出信 号的器件或装置。 简单的说,传感器即使把非电量转换成电量的装置。 汽车传感器的工作条件极为恶劣,因此,传感器能否精确可靠地工作至 关重要。在该领域中,理论研究及材料应用发展迅速,半导体和金属膜技术 研究及材料应用技术发展迅速,半导体和金属膜技术、陶瓷烧结技术等得到 迅猛发展

5.1 压电式传感器的原理及材料 5.2 压电式传感器测量电路 5.3 压电式传感器的基本性能指标及误差 5.3 压电式传感器的应用

7.1.1 背景 7.1.2 气体传感器及气体检测方法 7.1.3 气体传感器的分类 7.1.4 气体传感器的发展趋势

第一章信号分析基础 第二章测试系统的特性 第三章电阻应变式传感器 第四章电感式传感器 第五章电容式传感器 第六章压电式传感器 第七章光电式传感器 第八章热电传感器 第九章记录仪器

第一节 压电传感器的工作原理 第二节 压电传感器的测量转换电路