习题三解答 1沿下列路线计算积分z2d (1)自原点到3+i的直线段 (2)自原点沿实轴至3,再由3沿垂直向上至3+; (3)自原点沿虚轴至i,再由i沿水平方向右至3+i

本文以可逆共价键反应为线索,整理分析了动态共价键的类型及其动态影响因素,对多种动态共价键在高分子材料设计和构建中的应用做出评述,并对动态共价键高分子材料的未来发展作了展望

本书在总结国内、外最新研究成果的基础上，系统讲述火花点火发动机的基本燃烧理论和实用燃烧技术。全书共分15章，分别讲述燃烧过程的热力学分析、气缸内的湍流特性、火花点火、火焰传播与火焰结构、燃烧的循环变动和燃烧模型等。对近年来迅猛发展的低压汽油喷射和电子控制系统、新型点火系统以及各类燃烧室的设计方法均有详细论述，对汽油机的有害排放物的生成与控制以及燃烧研究的现代实验技术也作了专门的介绍

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

5.1概述 在这一章中,将解释污染对器件工艺、器件性能和器件可靠性的影响,以及芯片生产区域存 在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工艺等

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

4.1交流调压电路 4.2其他交流电力控制电路 4.3交交变频电路 4.4矩阵式变频电路

6.1PM控制的基本原理 6.2PWM逆变电路及其控制方法 6.3PWM跟踪控制技术 6.4PWM整流电路及其控制方法

5.1换流方式 5.2电压型逆变电路 5.3电流型逆变电路 5.4多重逆变电路和多电平逆变电路